类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 55V |
连续漏极电流(Id) | 5.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 137mΩ@10V,5A |
功率(Pd) | 8W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 5.3nC@5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 320pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
BUK98150-55A/CUF是一款高性能的N沟道MOSFET,专为需求高效电源管理和高电流应用而设计。作为安世(Nexperia)的一款优势产品,BUK98150-55A/CUF结合了优异的电气性能、广泛的工作温度范围以及紧凑的封装设计,适合用于各种电子设备,包括但不限于电源转换器、电机驱动器和开关电源等领域。
FET类型及技术:
漏源电压(Vdss):
连续漏极电流(Id):
导通电阻(Rds(on)):
栅极-源极电压(Vgs):
开关特性:
输入电容(Ciss):
功率耗散能力:
工作温度范围:
封装与安装:
BUK98150-55A/CUF适用于多种应用领域,包括:
BUK98150-55A/CUF凭借其低导通电阻、高耐压、高电流承载能力以及广泛的工作温度范围,成为众多高性能应用的优选。同时,作为Nexperia品牌的产品,其质量和稳定性更是得到了业界的广泛认可,选择BUK98150-55A/CUF,将为您的设计项目提供坚实的保障。
总之,BUK98150-55A/CUF是一款强大而灵活的N沟道MOSFET,设计师可以在许多高效和高功率的应用中,自信地选择这一组件,以实现更高的设备性能和效率。