类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 95mΩ@3A,10V |
功率(Pd) | 1.6W;15.6W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.7V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 9.2nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 305pF@30V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
PMPB85ENEAX 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET)。该器件具有出色的电流承载能力和低导通电阻,适用于高效电源管理和功率转换应用。PMPB85ENEAX 的封装采用了先进的 DFN2020-6 干扰焊盘设计,具有卓越的热管理特性和集成度。
输出能力:
电气性能:
阈值电压:
功率管理:
电容特性:
PMPB85ENEAX MOSFET 产品广泛应用于以下几个领域:
电源管理:
电动机控制:
汽车电子:
消费电子:
高可靠性:
强大的散热性能:
优化的电气性能:
简化的设计:
综合考虑,PMPB85ENEAX 是一款具有高效能和广泛应用的 MOSFET,对于希望提高电源管理效率和设备可靠性的工程师尤其重要。其低导通电阻和优秀的热特性,提高了电路的整体性能。无论是在电源管理、汽车电子还是消费电子应用中,PMPB85ENEAX 都能够提供可靠的解决方案,是工程师设计新型电子产品时的理想选择。