类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 500mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.02Ω@4.5V,500mA |
功率(Pd) | 360mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 950mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.1nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 43pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 8pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
PMZ950UPEYL 是一款由 Nexperia USA Inc. 生产的 P 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),其设计用于高效能的电源管理和开关应用。该器件采用表面贴装型(SMD)封装,具有出色的电流承载能力和低导通电阻,非常适合需要节省空间和提升效率的小型电子设备。
PMZ950UPEYL 采用 DFN1006-3 封装,尺寸小巧,适合于空间有限的设备中使用。该封装设计不仅提高了元件的热管理能力,也便于自动化贴装工艺,提高生产效率。
PMZ950UPEYL MOSFET 的广泛应用场景包括但不限于:
PMZ950UPEYL 的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 150°C,适合在极端环境下运行。这种稳定性和耐温特性使得它可以胜任严酷的工业应用条件,从而扩展了其应用场景。
综上所述,PMZ950UPEYL P 通道 MOSFET 以其优异的电气性能和可靠性,不仅可以满足当前各种应用的需求,还能适应未来的电力管理技术的发展趋势。其低导通电阻、小型封装和宽广的工作温度范围,使其在不断发展的电子市场中保持了极高的竞争力。作为电源控制和开关应用的理想选择,PMZ950UPEYL 必将成为设计工程师的优选器件。