类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 590mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 670mΩ@4.5V,590mA |
功率(Pd) | 310mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 950mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.1nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 30.3pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 4.2pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
PMZ550UNEYL 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高效能 N 通道 MOSFET(场效应管)。该器件专为高频开关与功率转换应用设计,能够以卓越的电气特性为电子产品提供稳定可靠的性能。其封装形式为 DFN1006-3(又称为 SOT-883),适合表面贴装(SMD)应用,适合于空间受限的小型电路板设计。
PMZ550UNEYL的高导通电压与低导通电阻特性,尤其是在低电压驱动下,使其在高频开关模式下具有出色的能效表现。这对于降低功耗、提高整体系统效率至关重要。
输入电容 (Ciss) 最大值为 30.3pF,在 15V 下测得;门极电荷 (Qg) 则在 4.5V 下达到 1.1nC。较低的输入电容意味着能够实现更快的开关速度,而门极电荷的低值则有助于减小驱动电路的功耗。
PMZ550UNEYL 广泛应用于以下领域:
PMZ550UNEYL 使用 DFN1006-3 封装,该封装形式具有优秀的热导性能和电气特性,适合于自动化表面贴装。小巧的尺寸允许在空间限制严格的应用中使用,有效降低产品的整体体积。
PMZ550UNEYL 是一款高性能、低功耗的 N 通道 MOSFET,凭借其优异的电气特性和广泛的工作条件,使其在各类电子应用中表现出色。适合不断发展的电源管理和控制系统需求,为现代电子产品的开发设计提供更多灵活性和可靠性。通过结合先进的材料与设计,Nexperia 不断推动 MOSFET 技术的发展,让 PMZ550UNEYL 成为您下一个项目中的理想选择。