类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 350mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.2Ω@10V,200mA |
功率(Pd) | 350mW;3.1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 23.6pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 3pF@30V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
NX7002BKMYL 是 Nexperia USA Inc. 出品的 N 通道 MOSFET(场效应管),属于 TrenchMOS™ 系列。这款高性能器件专为需要高效率和可靠性的应用而设计,特别适合用于低功耗电路和高频开关应用。它的工作电压可达 60V,连续漏极电流可达到 350mA,使其在众多电子应用中表现出色。
NX7002BKMYL 在功率耗散方面表现优异,最大功率为 350mW(在大气环境下)和 3.1W(在结温条件下),这使得其即使在高功耗的操作环境中,也能保持良好的工作状态。此外,它的工作温度范围为 -55°C 至 150°C(结温),适合在极端环境下使用。
此器件采用 DFN1006-3 封装,符合表面贴装型(SMD)标准,体积小巧,适合空间有限的电路板设计。SOT-883 封装确保在自动化生产线上的高性能应用,同时简化了组装过程。
NX7002BKMYL 的驱动电压在 5V 至 10V 的范围内表现良好,且不同于 Id 的驱动电压,栅极电荷(Qg)最大值为 1nC(在 10V 时),较低的栅极电荷有助于简化驱动电路设计,减少开关损失,提升整体电路性能。
由于其理想的电流和电压特性,NX7002BKMYL 在多个领域都有广泛应用,主要涵盖:
NX7002BKMYL 是一款高性能、可靠的 N 通道 MOSFET,其出众的电气特性及优良的热性能,使其在众多电子应用中成为理想选择。无论是在便携式设备、汽车电子还是工业自动化领域,NX7002BKMYL 都能提供高效的解决方案,满足现代电子产品设计对性能的严格要求。对于工程师和设计师来说,这款 MOSFET 的多功能性和可靠性将极大地提升他们设计的灵活性与效率。