NX3008NBKMB,315

NX3008NBKMB/SOT883B/XQFN3 产品概述

一、基本信息

NX3008NBKMB是一款由Nexperia（安世半导体）制造的绝缘栅场效应管（MOSFET），属于N通道FET类型。这款MOSFET采用卷带（TR）包装，适用于表面贴装（SMD）技术，特别适合高密度布板设计。其极小的封装形式为DFN1006B-3，可为现代电子设备提供高效的功率管理方案。

二、规格参数

1. 电流和电压

   • 连续漏极电流 (Id): 530mA @ 25°C 。
   • 漏源电压 (Vdss): 最高可达30V。
   • 栅极源电压 (Vgs): 最大值为±8V，这使得该MOSFET具备良好的栅极驱动能力。

2. 导通电阻与阈值电压

   • 不同Id、Vgs下的导通电阻 (Rds On): 在4.5V下，350mA时最大导通电阻为1.4欧姆。这种低导通电阻特性可以显著降低功耗。
   • Vgs(th)（阈值电压）最大值为1.1V @ 250µA，保证了其在低电压下的有效控制能力。

3. 电气性能

   • 栅极电荷（Qg）最大值为0.68nC @ 4.5V，表明其响应速度快且驱动能耗低。
   • 输入电容 (Ciss): 最高50pF @ 15V，此特性有助于提升开关性能、减小驱动电路的复杂度。

4. 功率耗散

   • 最大功率耗散: 360mW（在环境温度条件下），2.7W（在晶体管表面温度条件下），这为高功率应用提供了承受能力。

5. 工作温度

   • 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ），确保其在严苛环境下的稳定性和可靠性。

三、应用场景

NX3008NBKMB MOSFET广泛应用于各类需要高效电流控制的电子设备，例如：

• 开关电源(SMPS): 由于其低导通电阻和高效率，该MOSFET可用于DC-DC转换器和其他开关电源设计中，以提高整体能量转换效率。
• 电源管理: 在通讯设备、计算机、便携式设备和家用电器中的电源管理模块中，NX3008NBKMB充当核心元件，负责电流的精确控制。
• 高性能LED驱动器: 在LED照明和显示模块中，该MOSFET因其快速开关特性，被广泛用于LED驱动电路中。
• 电机驱动与控制: 该MOSFET适用于直流电机控制和步进电机驱动系统，提供精确的控制和优化性能。

四、总结

NX3008NBKMB/SOT883B/XQFN3为现代电子设计提供了高效、可靠的解决方案。凭借其出色的电气性能，如低导通电阻和高功率处理能力，适用于多种应用场景，特别是在需要高精度电流控制和能量效率的领域。Nexperia在半导体行业的专业背景和技术积累使得这款MOSFET成为设计工程师的首选元件之一，能够满足持续增长的市场需求和应用挑战。