类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 210mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.1Ω@10V,200mA |
功率(Pd) | 285mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 500pC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 20pF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 2pF@30V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
NX138BKSX 是由知名半导体制造商 Nexperia(安世)提供的一款高性能双N沟道场效应管(MOSFET)。它采用小型化的6-TSSOP封装,适合表面贴装,广泛应用于电源管理、信号开关及各种电子设备的控制电路中。凭借其优异的电气性能,这款器件能够在极端环境下提供可靠的工作表现,适合于各种工业和消费领域。
NX138BKSX 的主要参数包括:
NX138BKSX 采用6-TSSOP(SC-88,SOT-363)封装,具有紧凑型设计,适合密集电路板应用。其小尺寸使得设计师能够在空间有限的设备中有效利用电路板面积,同时减少寄生电感和电容,提升开关速度。
NX138BKSX 的特性使其适合广泛的应用场景,包括:
NX138BKSX 作为一款标准N沟道MOSFET,具备以下优势:
综上所述,NX138BKSX 是一款低功耗、高效率、性能稳定的双N沟道场效应管。其在高温和高电压环境中的优异表现,使其成为各种电子和电气应用中的理想选择。无论是在工业控制、消费电子还是电源管理领域,NX138BKSX 都能够满足用户对性能和可靠性的高要求。