类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 330mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.8Ω@10V,200mA |
功率(Pd) | 322mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 23.6pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 3pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
NX7002BKWX 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET(场效应管),采用 SOT-323 封装,专为多种应用场合设计。凭借其优异的电气特性和宽广的工作温度范围,这款 MOSFET 在开关电源、负载驱动,以及其他功率管理应用中表现出色。
NX7002BKWX 的基本电气参数包括:
在控制信号上,NX7002BKWX 的栅极阈值电压(Vgs(th))最大为 2.1V,当漏极电流达到 250µA 时,确保了在较低电压下仍可稳定导通。此外,栅极电荷 (Qg) 最大为 1nC,配合 10V 的驱动电压,可实现快速开关响应,适合高频率切换应用。对于输入电容 (Ciss) 的设计,最大值为 23.6pF,驱动电路能方便配置,且对高频信号支持良好。
NX7002BKWX 采用表面贴装型封装 (SOT-323),这使得其在电路板上的布局和装配更加便捷,节省空间及降低成本。SOT-323 封装适合现代电子产品的微型化需求,使其在移动设备、消费电子等领域表现卓越。
由于其优异的电气特性,该 MOSFET 适用于多个应用领域,包括但不限于:
综合来看,NX7002BKWX 是一款功能强大且灵活的 N 通道 MOSFET,凭借其卓越的性能和可靠的工作特性,被广泛应用于各种电子设备中。无论是在电机控制、开关电源还是信号处理领域,这款 MOSFET 都能满足高效、稳定和低损耗的设计需求。选用 NX7002BKWX,您将获得稳定性的保障和设计的灵活性。