NX7002BKWX 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

NX7002BKWX

商品编码: BM0089665328
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-323-3
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 265mW 60V 330mA 1个N沟道 SOT-323-3
库存 :
9(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.251
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.251
--
200+
¥0.162
--
1500+
¥0.14
--
3000+
¥0.124
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

NX7002BKWX参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)330mA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.8Ω@10V,200mA
功率(Pd)322mW阈值电压(Vgs(th)@Id)2.1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)1nC@10V输入电容(Ciss@Vds)23.6pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)3pF@10V工作温度-55℃~+150℃

NX7002BKWX手册

NX7002BKWX概述

NX7002BKWX 产品概述

NX7002BKWX 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET(场效应管),采用 SOT-323 封装,专为多种应用场合设计。凭借其优异的电气特性和宽广的工作温度范围,这款 MOSFET 在开关电源、负载驱动,以及其他功率管理应用中表现出色。

主要规格

NX7002BKWX 的基本电气参数包括:

  • 漏极电流 (Id): 在 25°C 条件下,能够承受的连续漏极电流为 270mA,满足大多数中低功率应用用电的需求。
  • 漏源电压 (Vdss): 该器件的额定漏源电压为 60V,允许其在多种电压环境中稳定工作,防止损坏。
  • 栅源电压 (Vgs): 最大栅源电压为 ±20V,确保在控制和驱动过程中不会出现过压现象。
  • 导通电阻 (Rds On): 最低 Rds On 值为 2.8 欧姆,在 10V 驱动电压和 200mA 的漏极电流下,展现出优越的导电能力,这意味着在开关状态下功率损耗较低。
  • 功率耗散: 器件的功率耗散能力为 310mW (在环境温度 Ta 下),最高可达 1.67W (在基体温度 Tc 下),在设计中灵活应对不同散热需求。
  • 工作温度范围: NX7002BKWX 工作温度可在 -55°C 到 150°C 之间,适合高温或极端环境下的应用。

栅极驱动和输入特性

在控制信号上,NX7002BKWX 的栅极阈值电压(Vgs(th))最大为 2.1V,当漏极电流达到 250µA 时,确保了在较低电压下仍可稳定导通。此外,栅极电荷 (Qg) 最大为 1nC,配合 10V 的驱动电压,可实现快速开关响应,适合高频率切换应用。对于输入电容 (Ciss) 的设计,最大值为 23.6pF,驱动电路能方便配置,且对高频信号支持良好。

封装和安装类型

NX7002BKWX 采用表面贴装型封装 (SOT-323),这使得其在电路板上的布局和装配更加便捷,节省空间及降低成本。SOT-323 封装适合现代电子产品的微型化需求,使其在移动设备、消费电子等领域表现卓越。

应用领域

由于其优异的电气特性,该 MOSFET 适用于多个应用领域,包括但不限于:

  1. 开关电源: 能够有效控制电源开关状态,提升能效。
  2. 负载驱动: 适合驱动小型电机和继电器,满足多种负载供电需求。
  3. 电池管理系统: 高效的开关性能有助于电池充电和放电过程,提高整体的能量管理效率。
  4. 信号开关: 由于其快速响应时间,可以用于信号切换,确保数据传输的及时性。

结语

综合来看,NX7002BKWX 是一款功能强大且灵活的 N 通道 MOSFET,凭借其卓越的性能和可靠的工作特性,被广泛应用于各种电子设备中。无论是在电机控制、开关电源还是信号处理领域,这款 MOSFET 都能满足高效、稳定和低损耗的设计需求。选用 NX7002BKWX,您将获得稳定性的保障和设计的灵活性。