2SC4117-GR,LF
2SC4117-GR,LF参数
| 晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 120V | 功率(Pd) | 200mW |
| 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 200@2mA,6V | 特征频率(fT) | 100MHz |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@10mA,1mA |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
2SC4117-GR,LF手册
2SC4117-GR,LF概述
产品概述：2SC4117-GR,LF
一、基本信息
制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
封装类型：SOT-323
零件状态：有源
工作温度范围：高达125°C
器件封装：USM（用于表面贴装）
2SC4117-GR,LF 是一款高性能的 NPN 晶体管，专为各种低功耗电子电路设计。该器件非常适合用于信号放大、开关控制和小功率信号处理等应用。由于其较高的频率响应用途，尤其适用于 RF 应用和小型消费电子设备。
二、主要特点
高电压特性
2SC4117-GR,LF 的集射极击穿电压（Vce）最大值可达 120V，使其适用于高电压应用场景。这一特性使得该晶体管能够在较高的电压下稳定工作，适配更广泛的电路设计需求。
优异的电流和功率处理能力
- 最大集电极电流 (Ic)：100mA
- 最大功率输出：100mW
该晶体管能在不易过热的情况下处理高达100mA的电流，适合用于较高负载的应用。
低饱和压降
在不同的发射极电流 (Ib) 和集电极电流 (Ic) 下，2SC4117-GR,LF 的饱和压降最大值为300mV (在1mA和10mA) 的表现，确保了在快速切换时的低功耗特性，有助于提高电路的整体能效。
高 DC 电流增益
- 最小 DC 电流增益 (hFE)：200 @ 2mA，6V
较高的电流增益值 (hFE) 提高了该晶体管在信号放大的效果，使其在低电流输入下充分发挥作用。
宽频率响应
最高频率跃迁可达 100MHz，适合用于无线频率和高频信号处理等应用。
三、应用领域
2SC4117-GR,LF 广泛应用于以下领域：
消费电子产品：由于其出色的性能，适合用于各种小型电子产品中的信号放大和开关控制。
无线通讯：具备高频响应能力，使其非常适合RF放大器和混频器等电路。
传感器电路：可用于烟雾探测器、温度传感器等各种传感器，帮助实现信号的处理与放大。
电源管理：可作为开关电路用于切换电源，帮助实现低功耗的电池管理系统。
四、竞争力
Toshiba 在半导体领域具备良好的声誉和技术基础，其生产的 2SC4117-GR,LF不仅在性能上表现突出，而且具有优良的成本效益比。此外，封装的 SC-70/SOT-323 类型使该器件在空间受限的应用中尤为重要，满足了当今电子产品不断向小型化发展的趋势。
五、总结
2SC4117-GR,LF 是一款高效能、有广泛应用前景的 NPN 晶体管，凭借其高电压承受能力、低饱和压降、优良的 DC 电流增益和小型化的封装，能够在多种电子设备中发挥重要的作用。无论是在消费电子、无线通信还是其他电子应用中，它都将是选型的良好选择。