类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 7.6A;11A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 16.2mΩ@7.6A,10V |
功率(Pd) | 1.4W;2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.25V@25uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 11nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 910pF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | 配置 | 半桥 |
IRF7904TRPBF 是一款高效能的双 N 级通道MOSFET,由英飞凌(Infineon)公司制造,适用于各种高性能电源管理和开关应用。这款MOSFET具备优异的电流承载能力和低导通电阻,能够有效地满足现代电子设备对高效率、高速开关的需求。
IRF7904TRPBF 适用于广泛的应用领域,主要包括:
IRF7904TRPBF 是一款出色的双 N 级通道MOSFET,具备优异的电气性能和广泛的应用前景。其低导通电阻、高电流承载能力和广泛的工作温度范围,使其成为高效电源管理、开关电路及电机驱动等领域的理想选择。随着电子技术的发展和对能效的日益重视,IRF7904TRPBF 将继续在工业、消费电子和可再生能源领域扮演重要角色。