SQSA80ENW-T1_GE3

SQSA80ENW-T1_GE3 产品概述

概述

SQSA80ENW-T1_GE3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，专为汽车和工业应用设计，符合 AEC-Q101 标准，确保在极端条件下的可靠性与稳定性。这款器件具备强大的电气性能，能够处理高电压与大电流，适合用于各种功率转换和控制电路，如电动汽车、电源管理系统与电机驱动等。

主要参数

1. FET 类型: N 通道
2. 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
3. 漏源电压 (Vdss): 80V，适用于中高压环境
4. 连续漏极电流 (Id): 18A（在 25°C 时），表明其在高负载条件下的稳定性
5. 驱动电压: 可在 4.5V 至 10V 下操作，提供灵活的驱动选项
6. 导通电阻 (Rds On): 在 10A 和 10V 时，最大导通电阻为 21 毫欧，表明其具有优秀的导通特性，减少功耗
7. 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 2.5V（在 250µA 下），使驱动电路设计更加简便
8. 栅极电荷 (Qg): 在 10V 时最大电荷为 21nC，便于快速开关与提高效率
9. 输入电容 (Ciss): 在 40V 时最大值为 1358pF，降低开关损耗
10. 功率耗散: 最大功率耗散为 62.5W（在 Tc情况下），表明其能够在高温情况下稳定工作
11. 工作温度范围: 适用范围广，从 -55°C 到 175°C，确保在严酷环境下仍可正常工作
12. 安装类型: 表面贴装型，方便快速集成在器件设计中
13. 封装类型: PowerPAK® 1212-8，提供了优化的散热性能和小型化设计

应用领域

SQSA80ENW-T1_GE3 具有广泛的应用领域。其坚固的构造和高可靠性使其适合汽车应用，包括但不限于：

• 电动驱动和混合动力汽车中的动力系统
• 电源管理模块
• 车载充电器和逆变器
• 车辆电动助力转向系统

此外，由于其出色的热性能和电气性能，此器件也适用于工业自动化设备、太阳能逆变器以及高效能电源供应器等多种工业用途。

技术优势

• 高效率: 凭借低导通电阻和低栅极电荷特性，SQSA80ENW-T1_GE3 可以显著减少开关和导通损耗，提升整体系统效率。
• 可靠性: 符合 AEC-Q101 认证的标准，保证了在极端环境条件下的可靠性能，适合汽车和工业领域的严格应用。
• 灵活性: 宽广的工作电压和温度范围，使其能够在多种应用场景中有效工作，适配各种设计需求。

结论

SQSA80ENW-T1_GE3 是一款高效、可靠、性能优良的 N 通道 MOSFET，特别设计用于满足汽车和工业领域的严格要求。凭借其卓越的电气特性和广泛的应用适应性，SQSA80ENW-T1_GE3 将是设计工程师在构建高效能电源系统时的理想选择。选择 VISHAY 的这款 MOSFET，您可以确保系统的高效运行与长久稳定，从而推动技术进步与创新。