
| 接口类型 | SPI | 存储容量 | 32Mbit |
| 时钟频率(fc) | 133MHz | 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 待机电流 | 12uA | 擦写寿命 | 100000次 |
| 页写入时间(Tpp) | 500us | 块擦除时间(tBE) | 150ms@(32KB) |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 |

GD25Q32ETIGR 是由 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 生产的一款高性能非易失性存储器,属于闪存(Flash Memory)技术的 NOR 类型。这款存储器特别适用于广泛的电子应用,如消费电子、工业控制、网络设备等,这得益于其先进的设计和高效的性能表现。
GD25Q32ETIGR 安装类型为表面贴装型,采用 8-SOIC 封装,其尺寸为 0.154" (3.90 mm 宽)。这种小巧的封装设计节省了 PCB 板的空间,使其能够轻松集成到紧凑型电子产品中,同时也提供了良好的散热性能,确保产品稳定性。
GD25Q32ETIGR 的高性能特征使其适用于多种应用场景,包括但不限于:
GD25Q32ETIGR 在多方面展现出其优势:
GD25Q32ETIGR 作为一款高性能的 NOR FLASH 存储器,凭借其快速的读写速度、适应多种环境的稳定性以及广泛的应用潜力,成为了电子工程师在选择存储解决方案时的理想选择。无论是在消费类电子产品还是工业控制应用中,GD25Q32ETIGR 均能发挥出色的性能,帮助设计师和制造商实现其产品开发目标。