晶体管类型 | 2个NPN-预偏置 | 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
集电极电流(Ic) | 100mA | 功率(Pd) | 150mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 68@5mA,5V |
EMG2T2R 是一款由知名品牌 ROHM(罗姆)生产的数字集成电路,采用6-SMD(5引线)扁引线的表面贴装型封装。其内置有两个 NPN 预偏压式晶体管,旨在满足各种数字应用的需求。该器件在设计上充分考虑了电流增益、功率消耗以及频率响应等多个方面,能够为用户在广泛的应用场景下提供可靠的性能。
晶体管类型: EMG2T2R 包含两个 NPN 预偏压晶体管,使其在速度和功耗方面表现卓越,适用于逻辑控制、开关电路等数字电路应用。
电流参数: 该器件具有最大集电极电流(Ic)为 100mA,并且支持高达 500nA 的集电极截止电流,这意味着它可以在低功耗和高效率的条件下运行。
击穿电压: EMG2T2R的集射极击穿电压(Vce)最大值为 50V,能够很好地适应高电压环境,对电路的安全性提供了一定的保障。
电流增益特性: 在不同的操作条件下,EMG2T2R 提供的直流电流增益(hFE)最小值可达 68,采用 5mA 的集电极电流和 5V 的供电电压,这使得其在信号放大或驱动负载方面表现出色。
饱和压降: 在转态时,Vce 饱和压降最大为 300mV,这一低饱和压降能够有效地减少功耗,因此在需要高效率和低热量的应用中表现良好。
频率响应: EMG2T2R 的跃迁频率高达 250MHz,适合用于要求高速开关的电路,例如 RF(射频)和高速数字信号处理。
功耗: 该器件的最大功率消耗限制在 150mW,确保其在高密度电路设计中进行高效运行,避免过热和性能下降。
EMG2T2R 的设计使其能够广泛应用于多种电子设备和电路中,包括但不限于:
EMG2T2R 采用 EMT5 封装,表面贴装型设计使其在自动化生产线上的安装变得高效且准确。该封装体积小巧,适合紧凑型电子产品设计,同时也提高了元器件的电气性能。
综上所述,EMG2T2R 是罗姆公司推出的一款高性能数字晶体管,凭借其出色的电性能、低功耗和广泛的应用适用性,充分展示了现代电子元器件的技术能力。无论是在高频通信、数字电路还是其他工业应用中,EMG2T2R 都能够满足用户的多元化需求并为其提供稳定的电力解决方案。