IGBT类型 | FS(场截止) | 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
集电极电流(Ic) | 30A | 功率(Pd) | 31W |
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) | 2V@15V,15A | 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) | 45nC |
开启延迟时间(Td(on)) | 24ns | 关断延迟时间(Td(off)) | 93ns |
导通损耗(Eon) | 0.09mJ | 关断损耗(Eoff) | 0.45mJ |
反向恢复时间(Trr) | 142ns | 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
STGF15M65DF2 是意法半导体(STMicroelectronics)出品的一款高效能绝缘栅型双极晶体管(IGBT),专为高电压和大电流应用而设计。作为一种沟槽型场截止 IGBT,该产品结合了优异的开关特性、低导通电压和较高的工作温度范围,广泛应用于工业电源、变频器、电动机驱动以及可再生能源系统等高要求的应用场景。
该元器件的电压-集射极击穿(Vce)承受能力可高达650V,最大集电极电流(Ic)为30A,满载情况下的最大功耗为31W。此外,IGBT的集电极脉冲电流(Icm)能力可以扩展至60A,适用于应对暂态负载或启动冲击电流。
在特定条件下(Vge=15V,Ic=15A),IGBT的导通电压(Vce(on))较低,仅为2V,这使得该器件在工作过程中具有较小的导通损耗,这对于高频开关应用尤为重要。
STGF15M65DF2 的开关能耗表现优异,开关能量(Eon)为90µJ,关断能耗(Eoff)为450µJ,确保了在高频操作下仍能保持良好的效率表现。其较短的开关延迟(Td)时间为24ns(开)和93ns(关),说明该器件能够快速响应,适合快速开关的场合。
在使用条件的额定值包含工作电压400V和电流15A的测试下,能够确认其稳定性和可靠性,从而确保设备在苛刻工作环境中的安全运行。
反向恢复时间(trr)为142ns,表明该IGBT能够有效地处理反向电流,减少因反向恢复而产生的损耗。这在电源转换和高频应用中起到了积极的作用。
STGF15M65DF2 的工作温度范围达到-55°C至175°C,使得该产品在极端环境下也能稳定工作,适用于航空航天、工业和汽车等领域。
STGF15M65DF2 采用TO-220FP-3 封装形式,设计为通孔安装,便于在各种电路设计中实现简便、可靠的焊接。TO-220封装不仅提供良好的散热性能,还有助于降低PCB布局的复杂性,提升整体设计的可制造性。
由于其强大的性能和特性,STGF15M65DF2 被广泛应用于:
综上所述,STGF15M65DF2 是一款高性能、高可靠性的IGBT装置,适合用于要求较高的电力电子应用。其低导通电压、优异的开关特性和宽温工作范围,使其成为现代电力转换和控制系统中的理想选择。无论是在工业领域,还是在消费电子和可再生能源应用中,STGF15M65DF2 都能凭借其独特的性能优势,为各类电力设备提供稳定、高效的支持。