类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 4.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 54mΩ@4.5V,4.5A |
功率(Pd) | 1.9W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 400mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 9.5nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 770pF@6V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 81pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SIA537EDJ-T1-GE3是一款高性能、低导通电阻的MOSFET阵列解决方案,由威世(VISHAY)生产,适用于各种电子设备中的功率管理和开关控制应用。该产品采用表面贴装型设计,封装为PowerPAK® SC-70-6双元件配置,适合于空间受限的电路设计,同时提供优越的电气特性和热管理能力。
SIA537EDJ-T1-GE3在功率管理和信号处理方面提供显著优势。其低导通电阻使其在高电流应用中能够降低功率损耗,减少发热量,更有效地提高整体系统的能量效率。MOSFET的逻辑电平门特性使其能够通过较低的栅极驱动电压(如4.5V)实现高效控制,特别适合与微控制器或数字电路集成,简化电路设计。
此外,该产品具有出色的热稳定性,工作温度范围为-55°C至150°C,使其能够在极端的温度条件下稳定运行,适合广泛的工业应用和高可靠性的汽车电子,更是满足各种环境要求所需的理想选择。
SIA537EDJ-T1-GE3非常适用于以下应用:
总体而言,SIA537EDJ-T1-GE3是一款高性能且灵活应用的MOSFET阵列,具备卓越的电气特性和良好的散热性能,适合一系列电源管理与控制应用。凭借其低导通电阻、优越的温度稳定性和宽广的应用范围,该MOSFET阵列无疑是现代电子设计中不可或缺的核心元件之一。通过选用SIA537EDJ-T1-GE3,工程师能够更好地满足日益增长的能效需求与系统集成挑战。