DTC123EMT2L 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DTC123EMT2L

商品编码: BM0107671660
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
VMT3(SOT-723)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-723
库存 :
39(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.115
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.115
--
8000+
¥0.105
--
48000+
产品参数
产品手册
产品概述

DTC123EMT2L参数

集射极击穿电压(Vceo)50V集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)150mW直流电流增益(hFE@Ic,Vce)20@20mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)500mV@100uA,0.3V最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)3V@20mA,0V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)100mV@10mA,0.5mA输入电阻2.2kΩ
电阻比率1工作温度-55℃~+150℃

DTC123EMT2L手册

DTC123EMT2L概述

DTC123EMT2L 产品概述

产品简介

DTC123EMT2L 是一款由 ROHM(罗姆)公司生产的高性能 NPN 型预偏置数字晶体管,适用于各种电子应用。这款晶体管采用 SOT-723 封装,具有小型化和轻量的特点,非常适合现代电子设备的尺寸限制和节能需求。其广泛应用于消费电子、通讯设备以及其他需要开关和放大功能的电路。

基本参数

DTC123EMT2L 的主要参数如下:

  • 晶体管类型: NPN - 预偏置
  • 集电极电流 (Ic): 最大 100mA
  • 集射极击穿电压 (Vce(max)): 50V
  • 基极电阻 (R1): 2.2 kΩ
  • 发射极电阻 (R2): 2.2 kΩ
  • 直流电流增益 (hFE): 在 20mA 和 5V 时,最小值为 20
  • Vce 饱和压降 (Vce(sat)): 在 500μA 和 10mA 时,最大值为 300mV
  • 集电极截止电流 (Ic(off)): 最大 500nA
  • 跃迁频率 (fT): 250MHz
  • 最大功率 (Pmax): 150mW
  • 安装类型: 表面贴装型 (SMD)
  • 供应商器件封装: VMT3

性能特点

  1. 高增益和良好的频率响应: DTC123EMT2L 在 20mA、5V 条件下具有良好的 DC 电流增益 (hFE),可以有效地放大输入信号。此外,其跃迁频率可达到 250MHz,使其在高速开关和放大应用中表现出色。

  2. 低饱和压降: 产品的 Vce 饱和压降为 300mV,确保在低电流条件下仍能高效工作。这一特性使得它非常适合用于多种低功耗电路,减少能量损失,提高系统整体效率。

  3. 宽应用范围: 由于其灵活的电气参数和较高的集电极电流能力,DTC123EMT2L 特别适合用于开关电源、信号放大、开关电路及其它控制应用。

  4. 高温稳定性: 该晶体管设计考虑到了高温操作条件,能够在一定温度范围内稳定工作,适合工业及汽车等领域的要求。

  5. 小型化封装: SOT-723 封装具有较小的尺寸,方便在PCB上进行高密度布线,满足现代电子设备对小型化和轻量化的需求。

应用领域

DTC123EMT2L 的多种特性使其在多个领域具备广泛的应用潜力,包括但不限于:

  • 消费电子: 电视、音响系统、移动设备等。
  • 通讯设备: 手机基站、路由器等网络设备。
  • 汽车电子: 车载音响、控制系统等。
  • 工业控制: 传感器信号处理、执行器驱动等。

结论

DTC123EMT2L 是一款功能丰富、性能优秀的 NPN 预偏置数字晶体管,凭借其宽广的应用领域和灵活的设计特点,能够满足现代电子行业对高效、低功耗、高性能元器件的需求。无论是在消费电子、通讯还是工业控制等领域,DTC123EMT2L 都凭借其优良的性能成为设计工程师的理想选择。在选择合适的晶体管时,DTC123EMT2L 应该作为优先考虑的选项之一。