晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 65V | 功率(Pd) | 200mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 200@2mA,5V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 15nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 100mV@10mA,0.5mA |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
BCM846BS-7 是一款由 Diodes Incorporated 生产的高性能 NPN 晶体管,设计用于各种电子应用中。这款器件集成了两个 NPN 晶体管,适合需要配对特性的电路,这使其在信号放大和开关用途上非常理想。随着现代电子产品的复杂性日益增加,BCM846BS-7 的广泛应用前景使其成为设计工程师和开发者的优选元件。
双 NPN 配对:BCM846BS-7 具有两个 NPN 晶体管的配置,可有效提高设计的灵活性,适应双向信号处理或差分放大等应用。
高电流和电压额定值:该器件的最大集电极电流 (Ic) 为 100mA,集射极击穿电压 (Vce) 可承受高达 65V,保证了其在高电压和大电流条件下的稳定性和可靠性。
低饱和压降:在 5mA 和 100mA 的工作条件下,该器件的 Vce 饱和压降最大值为 400mV,这使得其在低功耗应用中表现良好,能够减少能量损失并提高整体电路的效率。
卓越的直流电流增益:BCM846BS-7 的最小直流电流增益 (hFE) 达到 200 @ 2mA,5V,这表明在低电流条件下,仍能够提供出色的放大能力。
超低功耗和高频性能:该器件的最大功率为 200mW,能够在众多低功耗应用中,确保高效工作。此外,跃迁频率达到 100MHz,使其适合高速信号处理,如 RF 放大器和开关应用等。
宽工作温度范围:BCM846BS-7 的工作温度范围为 -65°C ~ 150°C,这一特性使其能够适用在极端环境下的工业或航空航天应用中。
紧凑的封装:该器件采用 SOT-363 封装,尺寸小巧,非常适合现代表面贴装技术 (SMT) 的需求,能够有效节省空间并提高设计的集成度。
BCM846BS-7 可广泛应用于多个领域,包括但不限于:
总而言之,BCM846BS-7 是一款高效、可靠的 NPN 晶体管,具备多项优秀性能和特性。其出色的电流增益、广泛的工作电压、优良的饱和压降以及卓越的频率响应,使其在现代电子设计中占有一席之地。无论是在消费电子、工业控制还是通信领域,BCM846BS-7 都为工程师提供了灵活的设计选择和高效的解决方案,是推动电子产品向更高性能发展的理想器件。