ZXMN2088DE6TA

ZXMN2088DE6TA 产品概述

一、产品基本信息

ZXMN2088DE6TA 是由美台（DIODES）公司生产的一款高性能双 N 通道场效应管（MOSFET），专为各种逻辑电平开关应用而设计。该器件具有极佳的电压和电流特性，适用于广泛的电子产品如电源管理、电机驱动和信号调节等场景。它采用 SOT-23-6 表面贴装封装，方便焊接及适应现代电子设备的空间限制，是一种理想的选择。

二、基本参数

1. FET 类型: ZXMN2088DE6TA 是一款双 N 通道场效应管，具有逻辑电平门特性，能够在较低的栅极电压（Vgs）下实现完整的导通状态。

2. 最大漏源电压（Vdss）: 器件的漏源极间最大电压为 20V，适用于中低压电路设计。

3. 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 条件下，该器件的最大连续漏极电流可达 1.7A，能够满足大部分实际应用中的电流需求。

4. 导通电阻: 在 1A 和 4.5V 的条件下，器件的最大导通电阻为 200 毫欧。低导通电阻意味着在开关过程中能量损失小，有助于提高电路的效率。

5. 阈值电压（Vgs(th)）: 在不同 Id 值下，器件的最大阈值电压为 1V（@ 250µA）。这是确保低栅压驱动下开关立即响应的关键性能指标。

6. 栅极电荷（Qg）: 在 4.5V 的条件下，器件的栅极电荷最大值为 3.8nC。较低的栅极电荷意味着更快的开关速度，适合高频应用。

7. 输入电容（Ciss）: 最大输入电容为 279pF（@ 10V），这种电容特性可以帮助优化开关速率及稳定性。

8. 功率：该器件的最大功率额定值为 1.1W，充分满足一般应用中对功率的要求。

9. 工作温度: 工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适合用于温度变化较大的环境中，保证长期稳定性。

10. 封装: 器件采用 SOT-23-6 封装，体积小，适应性强，符合表面贴装技术（SMT）的要求。

三、应用场景

ZXMN2088DE6TA 适用于多种电子电路的设计，其典型应用 शामिल但不限于：

• 电源管理: 在开关电源、转换器和电池管理系统中作为开关元素使用。

• 电机驱动: 可用作 H 桥电路中的开关元件，以控制直流电机的方向和转速。

• 逻辑电平转换: 适合用于逻辑电平转换电路中，实现高低电平之间的有效切换。

• 信号调节: 在 RF 应用中，作为小信号开关实现快速的信号开关功能。

四、总结

ZXMN2088DE6TA 是一款性能卓越的双 N 通道 MOSFET，具备优化的电气特性和功能，非常适合于现代电子设计的需求。其小巧的 SOT-23-6 封装使得其在紧凑的电路环境中依然能发挥出色的性能。同时，其广泛的工作温度范围和可靠的电气指标使其成为多种应用的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域，ZXMN2088DE6TA 都能为设计提供高效、稳定的解决方案，是电子工程师不可或缺的重要元器件之一。