晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 4A |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 1.5W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 400@1A,2V | 特征频率(fT) | 190MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 80mV@1A,100mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZXTN07045EFFTA 产品概述
一、基本信息
ZXTN07045EFFTA 是一款高性能的 NPN 晶体管,属于三极管(BJT)类型,专为高电流和高电压应用设计。该器件由知名半导体制造商 DIODES(美台)生产,具有出色的电压和电流处理能力,适合用于各种电子电路中,特别是在需要频繁切换或放大信号的场景中。
二、主要参数
电流能力:本晶体管的集电极最大电流 (Ic) 为 4A,能够支持大电流的应用,非常适合在电力转换器、高功率开关和马达驱动等场合中使用。
电压耐受:其最大集射极击穿电压 (Vce) 为 45V,具有良好的电压耐受能力,能够有效防止在高电压环境下发生击穿,确保电路的可靠性。
饱和压降:在高达 4A 的集电极电流下,饱和压降 Vce (sat) 的最大值为 280mV(在 80mA 时),显示出该器件在工作时的高效能和低能耗特性,尤其在功率管理应用中能够有效降低损耗。
截止电流:它的集电极截止电流 (ICBO) 仅为 50nA,表明在封闭状态下的漏电流非常小,保证了电路的高效性和稳定性。
电流增益:该硅片展示了卓越的 DC 电流增益 (hFE),在100mA 和 2V 条件下,增益的最小值为 500,说明其具有良好的信号放大能力。
功率处理:其最大功率处理能力达到 1.5W,足以支持各种中小功率应用的需求。
频率特性:该器件的跃迁频率高达 190MHz,使其非常适合于高频工作,广泛应用于射频放大器和开关电源等高频电路。
三、工作温度和封装类型
ZXTN07045EFFTA 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,符合高温环境下的应用需求,适用于军事、航空航天及工业控制等领域。该三极管采用 SOT-23F 表面贴装封装,封装紧凑,适合于空间有限的小型电子产品,方便在自动化设备中批量焊接。
四、应用场景
开关电源:其高电流和低饱和压降特性非常适合用于开关电源设计,提供高效的电能转换。
马达驱动:在电动机控制电路中,此晶体管能够提供大电流的驱动,满足马达启动和调速的需求。
信号放大:因其高增益特性,该晶体管也适用于音频放大器和其他信号放大应用中,能够有效提升信号品质。
射频应用:其高频特性使其在无线通信、射频放大器中具备广泛的应用前景。
五、总结
ZXTN07045EFFTA 是一款性能优秀的 NPN 晶体管,凭借其高电流、高电压、低饱和压降和良好的温度稳定性,适合于多种应用领域。无论是在消费电子、工业自动化,还是在军事和航空航天设备中,都能找到其身影。采用 SOT-23F 封装,使其易于在现代电子设备中实现高效集成,为设计师提供了更大的灵活性和便利性。