DMN4026SK3-13

DMN4026SK3-13 产品概述

概述

DMN4026SK3-13 是 Diodes 公司生产的一款高性能 N 通道 MOSFET。它采用表面贴装型 TO-252 封装，优化了空间利用与散热性能，广泛应用于各类电源管理、开关电路及驱动电路等场景。该器件具有卓越的电流承载能力（28A）、低导通电阻（24 毫欧），并能在高温环境下可靠工作。其额定漏源电压可达 40V，适合多种消费电子、工业控制与汽车电子应用。

主要参数

1. FET 类型与技术：DMN4026SK3-13 为 N 通道 MOSFET，采用金属氧化物技术，这使得该器件在开关频率和效率方面表现突出。特别是在高频应用中，相较于传统的双极型晶体管，MOSFET 的性能更为卓越。

2. 漏源电压 (Vdss)：该器件的漏源电压达到 40V，这使其适合用于多种中低压应用，包括电池管理系统、直流-直流变换器等。

3. 持续漏极电流 (Id)：在 25°C 的条件下，DMN4026SK3-13 可以支持高达 28A 的连续漏极电流，满足高负载需求。该电流值也体现了其良好的散热性能，非常适合用于高功率的开关电源设计。

4. 导通电阻 (Rds On)：在 10V 的栅极驱动电压下，该 MOSFET 的导通电阻可低至 24 毫欧，这大大提升了电源的转换效率，同时降低了在高负载下的发热量。这一特性使其非常适合应用于功率开关和电机驱动电路中。

5. 栅极阈值电压 (Vgs(th))：最大值为 3V @ 250µA，确保在相对较低的栅压下开始导通，这意味着在较低的控制电压下也能够有效开关，从而简化驱动电路的设计。

6. 栅极电荷 (Qg)：在 10V 的栅极电压下，其最大栅极电荷为 21.3nC，这有利于降低驱动功耗，提高系统的整体效率。这一点对于高频开关及快速响应的应用场合尤为重要。

7. 输入电容 (Ciss)：在 20V 的条件下，其输入电容最大值为 1181pF，进一步保证了良好的开关特性和更快的开关速度。

8. 功率耗散 (Pmax)：该 MOSFET 支持最大功率耗散为 1.6W（Ta），确保在工作条件下不会过热，从而提高系统的可靠性。

9. 工作温度范围：工作温度广泛，即 -55°C 到 150°C，适应于恶劣环境下的应用需求，确保器件能够在各种温度条件下稳定工作。

10. 封装类型：DMN4026SK3-13 采用 TO-252 封装，这种封装不仅便于表面贴装，还能有效提升散热性能，适合于高功率应用和自动化生产线作业。

应用领域

DMN4026SK3-13 适用于多种应用场景，包括但不限于：

• 电源管理：用于开关电源、电池充电器、电流转换电路等。
• 工业控制：驱动电机、控制阀门等工业设备。
• 汽车电子：用于汽车的电源分配、电动助力转向、电机驱动等。
• 消费电子：用于移动设备、电脑电源、家用电器等。

结论

凭借其出色的电流处理能力、低导通电阻及广泛的工作温度范围，DMN4026SK3-13 成为设计工程师在开发高效、可靠电源管理和开关电路时的理想选择。Diodes 公司的这一产品代表了新一代 MOSFET 的发展方向，具备了现代电子设计所需的高效率、小尺寸和高可靠性，是各种行业中不容忽视的关键元件。