类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 6.1A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 55mΩ@4.5V,5.5A |
功率(Pd) | 1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 21.5nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.154nF@20V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 66pF@20V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMC4029SK4-13 产品概述
DMC4029SK4-13 是一款高性能的场效应管(MOSFET),它采用了表面贴装技术(SMD),主要用于各种电子电路中,特别是需要快速开关和高效功率管理的应用场合。此器件由知名品牌 DIODES(美台)生产,在性能和可靠性方面得到了广泛认可。
结构与类型: DMC4029SK4-13 包含一个N沟道和一个P沟道的互补型场效应管设计。这种设计使得它在电路应用时具有更灵活的配置,适应多种工作模式。MOSFET结构的优点在于电阻低且畸变小,能够有效减少功耗,提高系统的整体效率。
电气性能:
高效能门电荷: DMC4029SK4-13的栅极电荷(Qg)最大值为19.1nC(在20V时),这意味着器件的开关速度快,适合于高频应用,有助于提升电路的整体响应速度及效率。
工作温度范围: DMC4029SK4-13的工作温度范围为-55°C到150°C,这使得该产品在严苛环境条件下仍能稳定运行,适应各种工业、汽车或通信等应用需求,对环境适应性强。
功率处理能力: 该器件具备最高功率处理能力为1.5W,能够满足中等功率的应用需求,适用于电源管理、开关电源和负载调节系统中。
由于其优越的电气特性和广泛的工作温度范围,DMC4029SK4-13 可广泛应用于以下领域:
DMC4029SK4-13 作为一款高性价比的双沟道场效应管,以其优越的电性能和广泛的应用适配能力,成为电子设计中一个理想的选择。无论是在家电、汽车、通讯还是其它工业领域,它都提供了可靠的解决方案,以改善能源利用与系统效率。通过合理运用DMC4029SK4-13,设计工程师能够简化设计流程,同时提升最终产品的性能和可靠性。