类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 12V |
连续漏极电流(Id) | 5.1A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 34mΩ@4.5V,5.1A |
功率(Pd) | 1.36W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 12.2nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.003nF@6V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 115pF@6V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
基本信息
DMC1030UFDB-7 是一种高性能的互补型场效应管(MOSFET),由美台(DIODES)公司生产。该器件集成了一个 N 沟道和一个 P 沟道MOSFET,采用表面贴装(SMD)技术,封装规格为 U-DFN2020-6(B 类),因其优越的性能表现和宽广的工作温度范围,适用于各种电子应用场景。
产品规格
应用领域
DMC1030UFDB-7 具有广泛的应用前景,尤其在以下领域表现优越:
产品优势
总结
DMC1030UFDB-7 是一个功能强大且高效率的双MOSFET解决方案,为各种电子应用提供了卓越的性能。凭借其高电流能力、卓越的导电性以及宽广的工作温度,DMC1030UFDB-7 能够满足严苛的应用需求,是设计师在选择高效开关元件时的理想选择。无论是在电源管理系统、LED 照明、电机控制还是电池管理领域,该器件都能提供优异的性能,帮助工程师提高设计效率并降低系统成本。