DXTP5820CFDB-7 产品实物图片
DXTP5820CFDB-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DXTP5820CFDB-7

商品编码: BM0107671814
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
U-DFN2020-3
包装 : 
标准卷带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 690mW 20V 6A PNP DFN-3(2x2)
库存 :
2740(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
1.47
按整 :
(1有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.47
--
100+
¥1.18
--
750+
¥1.05
--
1500+
¥0.99
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DXTP5820CFDB-7参数

晶体管类型PNP集电极电流(Ic)6A
集射极击穿电压(Vceo)20V功率(Pd)1.25W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)190@2A,2V特征频率(fT)140MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)135mV@2A,20mA
工作温度-55℃~+150℃

DXTP5820CFDB-7手册

DXTP5820CFDB-7概述

DXTP5820CFDB-7 产品概述

概述

DXTP5820CFDB-7 是由 Diodes Incorporated 设计与制造的一款高性能 PNP 类型晶体管(BJT),其采用了先進的表面贴装技术,封装为 3-UDFN(裸露焊盘)格式。此型号的主要特性包括高集电极电流能力和优异的电压处理性能,被广泛应用于电源管理、开关控制和信号放大等电子设备中,能够满足低功耗、高效能的现代电子设计需求。

关键特性

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 包装: 卷带(TR),适合自动化生产线的贴装工艺
  • 晶体管类型: PNP,适合负载接地的应用场景
  • 集电极截止电流 (Ic): 最大可达 6A,适用于要求较高电流处理的应用
  • 饱和压降 (Vce): 在不同的集电极电流 (Ic) 及基极电流(Ib)条件下,最大饱和压降为 350mV(在 300mA、6A 条件下),保证了在高负载下的高效能输出
  • DC 电流增益 (hFE): 在 1A 和 2V 条件下,最小增益为 200,提供了良好的信号放大能力
  • 频率跃迁: 该晶体管具备高达 140MHz 的频率跃迁性能,支持高速开关和信号处理
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C,可在极端环境下运行,确保设备的可靠性
  • 电压 - 集射极击穿 (Vceo): 最大击穿电压为 20V,适用于中低压应用
  • 功率承受能力: 最大功率为 690mW,适合需要散热管理的场合

应用领域

DXTP5820CFDB-7 由于其卓越的电流处理能力及高温工作范围,被广泛应用于以下领域:

  1. 电源开关: 可用于电源适配器、开关电源等设备中的开关控制,多种功率水平的电源管理。
  2. 信号放大: 在音频、视频设备中作为信号放大器,能有效提升信号的强度,提高设备的信号处理能力。
  3. 负载驱动: 适合用于驱动大功率负载,例如电机、继电器等,在工业自动化及家电中有广泛的应用。
  4. 汽车电子: 在汽车电气系统中,适合对电流进行控制及信号处理,增加系统的可靠性。
  5. 消费电子: 可用于各种消费电子产品中的开关控制和信号处理,提高产品的能效和性能。

封装与安装

DXTP5820CFDB-7 采用 U-DFN2020-3 封装,具有 3 引脚设计,适合于表面贴装(SMD)技术。此封装不仅减小了 PCB 占用面积,还提高了散热性能,增强了整体的信号完整性。其裸露焊盘设计使得热量能够有效地从芯片传导至基板,降低了工作温度,适应了高密度、功能强大的现代电子设备需求。

总结

DXTP5820CFDB-7 是一款高性能的 PNP 晶体管,凭借其低饱和压降、高电流增益及广泛的工作温度范围,适合多种高效率的电子应用。其可靠的性能、适应性强的封装及易于集成的优势,使其成为设计工程师在电源管理、信号放大及负载控制等领域理想的选择。选择 DXTP5820CFDB-7,能够有效提升设备的性能、稳定性以及工作效率,满足现代电子设备在高性能、高可靠性方面的需求。