晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 6A |
集射极击穿电压(Vceo) | 20V | 功率(Pd) | 1.25W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 190@2A,2V | 特征频率(fT) | 140MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 135mV@2A,20mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DXTP5820CFDB-7 是由 Diodes Incorporated 设计与制造的一款高性能 PNP 类型晶体管(BJT),其采用了先進的表面贴装技术,封装为 3-UDFN(裸露焊盘)格式。此型号的主要特性包括高集电极电流能力和优异的电压处理性能,被广泛应用于电源管理、开关控制和信号放大等电子设备中,能够满足低功耗、高效能的现代电子设计需求。
DXTP5820CFDB-7 由于其卓越的电流处理能力及高温工作范围,被广泛应用于以下领域:
DXTP5820CFDB-7 采用 U-DFN2020-3 封装,具有 3 引脚设计,适合于表面贴装(SMD)技术。此封装不仅减小了 PCB 占用面积,还提高了散热性能,增强了整体的信号完整性。其裸露焊盘设计使得热量能够有效地从芯片传导至基板,降低了工作温度,适应了高密度、功能强大的现代电子设备需求。
DXTP5820CFDB-7 是一款高性能的 PNP 晶体管,凭借其低饱和压降、高电流增益及广泛的工作温度范围,适合多种高效率的电子应用。其可靠的性能、适应性强的封装及易于集成的优势,使其成为设计工程师在电源管理、信号放大及负载控制等领域理想的选择。选择 DXTP5820CFDB-7,能够有效提升设备的性能、稳定性以及工作效率,满足现代电子设备在高性能、高可靠性方面的需求。