类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 3.2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 110mΩ@2.5V,2.7A |
功率(Pd) | 1.1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 450mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 5.9nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 440pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 48pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMC2053UVTQ-7 是一款高性能的互补型场效应管(MOSFET),由知名品牌 DIODES(美台)制造,适用于各类高效能电子应用。该器件采用了标准的N沟道与P沟道结构,具有出色的电气性能和优良的热稳定性,能够满足现代电子设备对功率和效率的苛刻需求。
DMC2053UVTQ-7 的设计使其非常适合广泛的应用领域,包括但不限于:
DMC2053UVTQ-7是市场上值得信赖的MOSFET选择,凭借其卓越的电气特性和多功能应用能力,成为了工程师在电源管理、功率放大及电动机驱动等领域的理想选择。无论是在高效能还是高可靠性方面,该器件都表现出色,满足了当前电子产品对小型化、高性能和节能的苛刻需求。通过选择DMC2053UVTQ-7,您将为您的产品增添更强大的竞争力。