类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 11.7A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9.5mΩ@4.5V |
功率(Pd) | 730mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 24nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.248nF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 265pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN2011UFDF-7 是由 DIODES(美台)公司推出的一款 N 通道 MOSFET(场效应管),具有出色的电气性能和较低的功耗,是广泛应用于电源管理、开关电源、马达驱动等领域的理想选择。其采用 U-DFN2020-6 贴片封装,具有优良的热管理性能,适合高密度布局设计。
DMN2011UFDF-7 的设计使其在高负载条件下能够稳定工作,同时保持低导通电阻和高效率。这些特性使其特别适合于需要快速开关和高效率电源转换的应用。此外,其宽广的工作温度范围保证了在严苛环境条件下也能正常运行,增加了产品的适用性。
在电源管理中,DMN2011UFDF-7 可用于DC-DC转换器、开关电源和线性稳压器等设备中,为这些应用提供出色的控制和效率。在马达驱动应用中,该产品能够提供高电流输出,同时简化驱动电路的设计并减少功率损耗。
DMN2011UFDF-7 采用 6-UDFN(裸露焊盘)封装,既节省空间又便于散热,适合高集成度电路板的需求。这种表面贴装型设计使得安装过程简便,并能够满足现代电子设备的小型化和轻量化要求。
DMN2011UFDF-7 是一款功能强大的 N 通道 MOSFET,凭借其卓越的导通性能、良好的热管理能力和宽工作温度范围,成为多种应用领域的优选元件。尤其在电源管理和马达控制中,凭借高效率和高稳定性,能够满足各种苛刻的设计需求。对于设计工程师来说,DMN2011UFDF-7 将是提升产品性能和可靠性的理想选择。