晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 3A |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | 功率(Pd) | 2W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@1A,2V | 特征频率(fT) | 200MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 10uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@1A,100mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DXT651Q-13 是一款高性能的 NPN 晶体管,专为要求高功率和高电流的应用而设计。其最大集电极电流(Ic)可达 3A,而集射极击穿电压(Vce)最大值为 60V,使其能够很好地适用于多种工业和消费电子设备。这款晶体管以 SOT-89-3 封装提供,符合现代紧凑型电子设计的需求。
DXT651Q-13 的设计使其适合多种典型应用,包括但不限于:
DXT651Q-13 NPN 晶体管以其卓越的技术规格和多样化的应用能力,成为很多电子设计工程师的首选。无论是在高功率开关电路,还是在高增益放大电路中,它都能表现出色,满足客户对性能和可靠性的高要求。随着电子技术的不断发展,DXT651Q-13 定将继续在多个领域扮演关键角色,推动电子设备向更高的效率和更小的体积发展。