类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 950V |
连续漏极电流(Id) | 2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.2Ω@10V,1A |
功率(Pd) | 45W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 10nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 105pF@100V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 0.5pF@100V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
STU2N95K5 是一款高额定电压的 N 通道 MOSFET(场效应管),由意法半导体(STMicroelectronics)旗下生产。该器件以其950V 的漏源电压(Vdss)和2A 的连续漏极电流(Id)而闻名,适用于需要高抗压性能和优越导电能力的各种应用场合。其卓越的性能使其在电源管理、开关电源、逆变器以及其他需要高电压驱动的场合得到广泛应用。
由于其卓越的性能参数,STU2N95K5 在以下领域中得到了广泛应用:
开关电源:该 MOSFET 适合用作开关电源中的主要开关元件,借助其高压和高效性能,可以有效降低整个电源系统的能耗。
逆变器:在太阳能逆变器和风能逆变器中,STU2N95K5 的高压高流设计使其成为理想的选择,支持高效的能量转换。
电动汽车:在电动汽车的电力管理系统和动力电池管理中,这种 MOSFET 还可以在各种高放电应用中使用,提供稳定且可靠的功率供给。
工业驱动和控制:该器件在电机驱动、机器控制等工业设备中广泛应用于开关和控制电路,处理高电压和高电流的情况。
STU2N95K5 以其卓越的性能和广泛的适用范围为电力电子领域的设计工程师提供了强大的解决方案。这款 N 通道 MOSFET 适合各种高压应用,具有极佳的导电性能和抗压能力,助力于今后电力电子技术的创新与发展。如果您正在寻找一款高效能、高可靠性的电源管理元器件,STU2N95K5 绝对是一个值得考虑的理想选择。