晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 3A |
集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 功率(Pd) | 1.2W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 120@0.5A,3V | 特征频率(fT) | 30MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 1uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@2A,0.2A |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品名称: 2DB1184Q-13
品牌: DIODES(美台)
封装类型: TO-252(D-Pak)
晶体管类型: PNP
2DB1184Q-13是DIODES推出的一款高性能PNP型双极性晶体管(BJT),专为各种电源管理和信号放大应用而设计。凭借其优异的电流和电压特性,该器件适用于工业控制、汽车电子、通信和消费电子等多个领域。
该PNP晶体管的主要电气特性包括:
此器件的合理设计使其在高温和高电流的环境中仍能稳定工作,确保可靠性的同时,也能有效地降低功耗。
2DB1184Q-13采用TO-252(D-Pak)封装,这种表面贴装型设计不仅节省了PCB空间,还便于自动化制造。D-Pak封装结合了散热性能和电气性能的优点,能满足高功率应用的需求,同时有效降低安装时的复杂性。
2DB1184Q-13在多种应用中表现出色,具体包括但不限于:
综上所述,2DB1184Q-13是一款高性能的PNP型晶体管,凭借其实用的电气特性和适应性强的工作环境,成为各种电子设备中不可或缺的元件之一。无论是在功率管理、信号放大还是驱动电路应用中,DIODES的2DB1184Q-13都展现出优异的性能,为设计工程师提供了可靠的解决方案,是现代电子产品中一款值得引入的关键组件。