晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 1A |
集射极击穿电压(Vceo) | 80V | 功率(Pd) | 1.5W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@100mA,5V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@150mA,15mA |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
产品概述:BSR33QTA PNP晶体管
BSR33QTA是一款高性能的PNP型三极管,广泛应用于多种电子电路中,既可以作为开关元件,也可用作放大器。该元器件销售来源于美台公司(DIODES),其紧凑的SOT-89封装和卓越的电气性能,使其在一些需要高效率和高集成度的电气应用中表现突出。
BSR33QTA的主要参数如下:
BSR33QTA的最大功耗为2.1W,具有良好的热管理性能,适合广泛的温度应用范围。在频率响应方面,该元件的跃迁频率高达100MHz,能够支持高频信号处理应用,适用于现代通信和信号处理系统中。
该器件可在-65°C至150°C的广泛温度范围内稳定工作,这使得BSR33QTA特别适合在极端环境条件下使用,涵盖从汽车电子到航空航天等多个高可靠性应用领域。
BSR33QTA采用SOT-89的表面贴装型封装,非常适合在空间有限的应用中使用。该封装在设计上符合现代电路的紧凑性需求,使得其在高密度PCB设计中易于集成。这种小型化封装还帮助降低了寄生电容和电感,提高了高频性能。
BSR33QTA适用于多种应用,包括但不限于:
总的来说,BSR33QTA凭借其广泛的工作温度范围、良好的电气性能和紧凑的SOT-89封装,使其成为开发现代电子设备时理想的选择。无论是需要高电流驱动的开关应用,还是对增益和频率要求严格的模拟电路,BSR33QTA都能提供卓越的解决方案。通过选择BSR33QTA,设计师能够在其电路设计中实现更高的效率和更好的性能。