类型 | PNP | 集射极击穿电压(Vceo) | 30V |
直流电流增益(hFE@Vce,Ic) | 10000@5V,100mA | 功率(Pd) | 200mW |
集电极电流(Ic) | 500mA | 特征频率(fT) | 125MHz |
集电极截止电流(Icbo@Vcb) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.5V@100mA,100uA |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
MMSTA63-7-F 是一种高性能达林顿型 PNP 晶体管,专为各种电子电路应用而设计,特别适用于需要高增益和低输入电流的场合。这款晶体管采用了创新的设计,结合了达林顿结构的优越特性,确保在严苛环境下的卓越性能。它以 SOT-323 封装形式提供,使其非常适合表面贴装技术(SMT),便于现代电子设备的紧凑设计和自动化生产。
高电流增益:MMSTA63-7-F 的 DC 电流增益(hFE)达到 10000,这使其在驱动负载方面表现出色。即使输入电流较小,用户仍然能够控制较大的输出电流,满足多种高功率和高敏感性的应用需求。
低饱和压降:在高达 100mA 的集电极电流下,MMSTA63-7-F 提供最大 1.5V 的饱和压降,此特性能够降低功耗,提高效率,尤其适合于开关电源和放大器电路。
宽工作温度范围:工作温度范围从 -55°C 到 +150°C,确保在极端环境下的稳定性和可靠性,使其适用于汽车电子、航空航天及工业控制等应用领域。
小型封装:SOT-323 封装使得该元件能够在空间受限的设计中有效使用,极大降低了PCB面积的占用,使得设计更加紧凑,高度符合现代电子产品轻薄化的趋势。
低噪音特性:由于其设计用于低输入电流的应用场合,此元件能够在提高增益的同时保持较低的输出噪音,非常适合敏感信号放大器应用。
MMSTA63-7-F 适用于广泛的应用领域,包括:
MMSTA63-7-F 以其优越的电子特性和出色的工作性能,成为了电子设计师和工程师的理想选择。无论是在低功耗应用还是在温度变化较大的环境中,该达林顿型 PNP 晶体管都能提供强大的支持和保障。其小巧的封装、高增益及可靠的性能,已成为现代电子设备中不可或缺的重要组件。选择 MMSTA63-7-F,就是选择了高效、稳定和灵活的设计解决方案。