晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 3A |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | 功率(Pd) | 1W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@1A,2V | 特征频率(fT) | 145MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 80mV |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DXT751Q-13 是一款由 Diodes Incorporated 制造的高性能 PNP 晶体管,专为汽车电子应用而设计,符合 AEC-Q101 限制标准。该产品适用于需要高集电极电流和较低饱和压降的电路,具有额定电流高达 3A、最大集射极击穿电压为 60V 的特点。其主要封装为 SOT-89-3(TO-243AA),采用卷带(TR)包装,适合表面贴装型(SMD)应用,便于自动化生产。
DXT751Q-13 设计用于汽车及其它高温环境的电子设备中,适合以下应用场景:
在设计应用电路时,需要关注以下几个方面:
DXT751Q-13 是一款高效能、高可靠性的 PNP 晶体管,特别适合于对性能要求严格的汽车电子领域。其广泛的应用范围和优秀的电气特性,使其成为工程师在设计各种电路时理想的选择,能够满足不同场合下的需求。无论是在信号放大、功率管理还是自动化控制方面,DXT751Q-13 都展示了其卓越的工具性和技术价值。