类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 7.44A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 24mΩ@4.5V,7A |
功率(Pd) | 940mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 9.47nC@5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 798pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 122pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMG4800LFG-7 是由 Diodes Incorporated 制造的一款高性能 N 通道 MOSFET(场效应管),特别设计用于满足多种电子设备中的开关和放大应用需求。此器件在高频和高效率电源管理、低电压功率开关和负载驱动等场合表现出色,凭借其优良的导通电阻和较高的连续漏极电流能力,广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
高电流承载能力:DMG4800LFG-7 的连续漏极电流可达到 7.44A(在 25°C 环境温度下),使其能够轻松应对各种高功率需求电路。
低导通电阻:此MOSFET在 10V 的栅源电压下,导通电阻(Rds(on))的最大值为 17 毫欧,减少了功率损耗,并提高了整体能效,为设备提供更好的热管理能力。
宽工作温度范围:该器件的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,适合多种苛刻的工作环境,确保其在极限条件下仍能稳定运行。
优良的开关性能:最大栅极电荷(Qg)为 9.47nC(在 5V 的 Vgs 下),使得开关速度更快,降低开启和关闭的延迟,对于高频应用至关重要。
小型化封装:DMG4800LFG-7 的封装为 U-DFN3030-8,小型化的设计减少了电路板空间的占用,适应现代电子设备对体积和重量的严格要求。
由于其优异的电气特性及小型表面贴装设计,DMG4800LFG-7 被广泛应用于以下领域:
电源管理:在 DC-DC 转换器和电源适配器中,作为开关或整流器,提供高效率能量转换。
电机驱动:可用于直流电机的驱动电路,提供可靠的控制与驱动能力。
汽车电子:在汽车电源控制及其它多种汽车电子设备中,提供稳定的性能。
工业控制系统:在工业自动化设备中,作为功率开关执行器,进行高效能量管理。
DMG4800LFG-7 采用高可靠性的制造工艺,确保器件能够在高温和高负载环境下正常工作。其最大功率耗散为 940mW,可以有效应对复杂电路的热管理需求。漏源电压 (Vdss) 为 30V,使得此 MOSFET 非常适合在低压电路中使用。
在选择此器件时,设计工程师应确保栅源电压 (Vgs) 不超过 ±25V,以保护器件免受损坏。在使用中,务必参考器件的具体技术文档,以便在设计中获得最佳的性能表现。
DMG4800LFG-7 是一款性能优越、适应性强的 N 通道 MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流承载能力及小型表面贴装特性,非常适合各种高频和高效能电源管理应用。无论是消费电子、工业自动化还是汽车电子,该器件都能够提供可靠的性能和高效的能量管理,助力设计工程师实现卓越的产品设计目标。