DMN3025LFDF-7

DMN3025LFDF-7 产品概述

简介

DMN3025LFDF-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），由美台电子（DIODES）公司制造，专为高效能开关应用设计。该半导体器件具备卓越的电流处理能力和低导通电阻，适用于各种电子设备中的功率转换和电源管理。

基本参数

• 类型: N 通道 MOSFET
• 漏源电压（Vdss）: 30V
• 25°C 时连续漏极电流（Id）: 9.9A
• 驱动电压（Vgs）: 4.5V 和 10V 下的最大 Rds(on)
• 导通电阻（Rds(on)）: 不同 Id、Vgs 条件下，最大值为 20.5 毫欧（@ 7A，10V）
• 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值 2V（@ 250µA）
• 栅极电荷（Qg）: 最大值 13.2nC（@ 10V）
• 最大栅源电压（Vgs）: ±20V
• 输入电容（Ciss）: 最大值 641pF（@ 15V）
• 功率耗散（Pd）: 最高 2.1W（@ Ta）
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
• 安装类型: 表面贴装型（SMD）
• 封装规格: U-DFN2020-6（裸露焊盘）

应用领域

DMN3025LFDF-7 的设计使其特别适合于要求高效率的各种应用，包括但不限于：

1. 开关电源: 用于电源管理电路，如 DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器，在高频操作下保证高转换效率。
2. 电机控制: 在电机驱动器中提供优化的开关闭合和断开的性能，以降低功耗和温升。
3. LED 驱动: 在照明设备中，作为高效的开关元件以控制LED的电流，从而延长LED的使用寿命和提高效率。
4. 其他负载驱动: 适用于各种电池供电设备及高效负载开关应用。

产品优势

• 低导通电阻: DMN3025LFDF-7 具有非常低的导通电阻，能够在高电流负载条件下减少能量损耗和热量生成。
• 高电流承载能力: 随着设计的优化，最高可承载 9.9A 的连续漏极电流，使其适合各种高功率应用。
• 宽工作温度范围: 工作温度范围从 -55°C 到 150°C，确保在各种极端环境下稳定运行。
• 小型化封装: U-DFN2020-6 封装尺寸小，满足现代电子设计对空间的严格要求，而且易于自动化焊接。
• 高效的开关性能: 具备优异的栅极电荷特性，能够快速开关，大幅减少开关损耗，提升整体系统效率。

结论

DMN3025LFDF-7 是一款出色的 N 通道 MOSFET，凭借其高电流承载能力、低导通电阻、高效的开关性能及宽广的工作温度范围，成为电源管理、电机控制和高效开关应用的理想选择。无论是在消费者电子产品、工业设备还是汽车电子中，该器件均可发挥其卓越性能，为设备提供更高效和稳定的电力供应。通过采用该 MOSFET，设计者能够实现更小、更轻便且更高效的电子设备，符合现代市场对性能和效率日益增长的需求。