类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 10A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 12mΩ@10V |
功率(Pd) | 730mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 25.1nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.415nF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 82pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN3016LFDE-7是一款高性能N通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其设计旨在满足电源管理、开关电路及其他高效能电子应用的需求。其额定的漏源电压为30V,能够承受高达10A的连续漏极电流,为多种应用提供了强大的电流驱动能力。该器件特别适合于低压和中等功率的应用,如DC-DC转换器、负载开关和电动机驱动。
额定电气特性:
门极阈值电压:
驱动电压:
栅极电荷:
输入电容:
功率耗散:
工作温度范围:
封装类型:
DMN3016LFDE-7引脚布局紧凑,适合在空间受限的应用中使用。它可应用于以下方面:
总之,DMN3016LFDE-7 N通道MOSFET以其出色的电气特性、宽广的工作温度范围和紧凑的封装设计,成为现代电子设备中不可或缺的组件之一。无论是用于电源管理、开关电路还是各种工业应用,这款MOSFET都能提供卓越的性能,受到设计工程师的广泛欢迎。对于寻求高效、可靠和高性价比解决方案的应用领域而言,DMN3016LFDE-7无疑是一个理想的选择。