晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 3A |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | 功率(Pd) | 1W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@1A,2V | 特征频率(fT) | 200MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 80mV@1A,100mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DXT651-13 是一款高性能的NPN型晶体管,采用表面贴装封装(SOT-89-3),专为高频率和大电流的应用场合设计。这款晶体管具有优越的电气特性和出色的热稳定性,适合用于各种电子设备中,包括功率放大器、开关电源、低压电机驱动等,在广泛的工业应用和消费类电子产品中都表现优越。
高电流承载能力: DXT651-13 的集电极最大电流为3A,使其适合在高负载条件下工作,能够支持如马达驱动和高功率放大器等应用。
宽电压范围: 该晶体管能够承受高达60V的集射极电压,适合各种高压应用,同时在不同电压条件下依然保持出色的性能。
低饱和压降: 在较高电流条件下(300mA和3A),该晶体管的饱和压降最大为600mV,表明其在开关状态下的能量损耗极低,有助于提高系统总体的能效。
优良的增益特性: DXT651-13 提供了至少100的DC电流增益,能有效增强输入信号,常用于信号放大和开关电路。
高频响应: 其跃迁频率可达200MHz,适合用于高速开关及高频放大器电路,能够满足现代电子设备对高频性能日益增长的要求。
宽工作温度范围: DXT651-13的工作温度范围从-55°C到150°C,使其在极端环境中也能保持稳定性能,适合航空航天、汽车和工业控制等领域。
紧凑的封装设计: SOT-89-3封装使得其在电路板上的占用空间小,适合小型化设计的要求。
DXT651-13 广泛应用于:
DXT651-13 是一款高效能的NPN晶体管,凭借其出色的电气特性和广泛的应用适应性,在现代电子设计中具有重要意义。凭借高电流输送能力、低功耗、良好的增益特性以及宽温度适应性,它为各类高性能电子设备的开发提供了理想的解决方案。适用于是否要求紧凑设计的消费电子产品,还是需要高可靠性的工业应用,DXT651-13 都是理想的选择。