类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 6.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 25mΩ@4.5V |
功率(Pd) | 800mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 7.1nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 647pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 38pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN2024UFDF-7 是一款来自美台(DIODES)的高性能 N 通道 MOSFET 器件,具有卓越的电气性能和广泛的应用场景。该器件采用 U-DFN2020-6 封装,体积小巧且便于表面贴装,为现代电子产品设计提供了便利。以下将对其基础参数、性能特点及应用场景进行详细解读。
FET 类型: 该 MOSFET 为 N 通道设计,能够在正电压下有效导通,适合用于高侧开关和低侧开关等电路中。
漏源电压 (Vdss): DMN2024UFDF-7 的漏源电压可承受高达 20V,这使得其在小功率应用中表现出色,适合用于低压电源管理和信号调理等场合。
最大连续漏极电流 (Id): 器件在 25°C 时的最大连续漏极电流为 7.1A,这一参数表明该 MOSFET 能在相对较高的电流下有效工作,为诸如电机驱动、LED 驱动等应用提供强有力的支持。
导通电阻 (Rds On): 在 4.5V 的栅压下,导通电阻最大值为 22 毫欧,反映出其出色的电流通导能力和低功耗特性。这使得 DMN2024UFDF-7 在高频和高效率应用中表现优越,能够减少在导通状态下的功耗损失。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 在 250µA 流经漏路时,最大阈值电压为 1V,意味着在低压操作下,器件能够较快启动,有利于快速开关应用。
栅极电荷 (Qg): 样品的栅极电荷最大值为 0.9nC(在 10V 的栅压下),这使得该 MOSFET 能够以极低的驱动功耗实现高频操作,对于高开关频率的应用尤其重要。
功率耗散: 该MOSFET的最大功率耗散为 960mW(在标准工作环境下),这为散热设计提供了一定的可行性。
工作温度范围: DMN2024UFDF-7 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,适合在多种恶劣环境下应用,可以满足汽车电子和工业自动化等高要求的应用场景。
优越的热性能:由于其封装设计与较低的导通电阻,DMN2024UFDF-7 具备出色的热性能,即使在高功率下运行也能有效控制温度,确保器件长期稳定工作。
小型化设计:U-DFN2020-6 封装的细小尺寸让其更适合现代电子产品的小型设计需求,帮助设计师节省电路板空间,提高整个系统的集成度。
易于驱动:主要针对低电压驱动的设计,使得其适合与多种控制逻辑接口兼容,简化了设计难度。
DMN2024UFDF-7 的优异性能使其能够灵活应用于多种电子设计,具体应用包括但不限于:
电源管理:在开关电源、DC-DC 转换器和电池管理系统中,作为高侧或低侧开关使用,改进整体能效。
LED 驱动:能够稳定提供必要的电流以驱动LED,尤其在对开关频率有一定要求的应用中表现突出。
电机驱动:适用于电机控制系统中,能够高效地管理电机的启动、运行和停止。
通信设备:在通信设备中,DMN2024UFDF-7 作为信号开关使用,能够有效传递信号而不引入过多的损耗。
消费电子:适用于手机、平板电脑等消费电子产品中,通过高效的电源管理,延长设备的续航能力。
总体而言,DMN2024UFDF-7 作为一款高性能 MOSFET 器件,以其卓越的电气性能,适应严格的工作环境及高效能的电源管理解决方案,成为电子设计工程师们的理想选择。