类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 12V |
连续漏极电流(Id) | 6.9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 38mΩ@1.8V,5.5A |
功率(Pd) | 1.7W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 60nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 917pF@6V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 102pF@6V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN1025UFDB-7是美台DIODES公司推出的一款高性能N沟道场效应管(MOSFET),其主要应用于各种电源管理和开关应用中。该产品具有高电流承载能力和低导通电阻,特别适合用于高效能的电源转换和负载驱动电路。其额定功率为1.7W,额定电压为12V,最大连续电流可达8.8A,这为设计工程师提供了非常宽大的使用范围。
DMN1025UFDB-7广泛应用于多个领域,包括但不限于:
DMN1025UFDB-7是一款高性能的N沟道MOSFET,适合多种电源管理与负载控制的应用。其优越的电流承载能力、低导通电阻及紧凑的封装设计,使其成为现代电子产品中不可或缺的组件之一。无论是在电源转换、电机控制还是其他高效能应用中,DMN1025UFDB-7都能够大大提升系统的性能和能效。随着电子设备对功率优化和体积减小的需求不断增长,DMN1025UFDB-7的市场前景广阔,必将在未来的电子行业中发挥越来越重要的作用。