晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 400mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 30V | 功率(Pd) | 150mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 270@100mA,2V | 特征频率(fT) | 400MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@2mA,100mA |
2SD2696T2L 是一款高性能的 NPN 型晶体管,专为低功耗、高频率应用而设计,具备多种特性以满足现代电子设备需求。该组件由知名电子元件制造商 ROHM(罗姆)出品,广泛应用于开关电源、电流放大、数字电路驱动等领域。其优异的电气性能和高工作温度使其在各种严苛环境下也能保持稳定的性能。
2SD2696T2L 的电气特性使其在大多数应用中表现出色。首先,其最大集电极电流为400mA,使其能够驱动更高功率的负载。其次,该晶体管的饱和压降(Vce(sat))非常低,对于高效能的开关电源设计尤为重要,有助于降低系统的功耗。
DC电流增益(hFE)的高值(至少270)意味着在较小的基极电流(Ib)下,也能实现较大的集电极电流输出,这使2SD2696T2L成为放大电路中理想的选择。同时,其极低的集电极截止电流(ICBO)确保了该器件在低偏置状态下的优异性能,能够有效抑制噪声,提升电路的整体稳定性。
在热管理方面,2SD2696T2L 具备150°C的高工作温度上限,符合工业级标准。这使得它能够在多变的工作环境中保持良好的稳定性,特别适合用于温度较高的场合。此特性对于汽车电子、航空航天及高温工业环境等应用尤为重要。
2SD2696T2L 的高性能特性使其广泛应用于以下领域:
综上所述,2SD2696T2L NPN 晶体管是一款具备高性能特点的电子元件,适合多种应用场景。其高电流增益、低饱和压降、良好的温度特性以及小巧的封装设计,使得其在现代电子设计中可提供优越的解决方案。无论是在消费电子、工业控制,还是在特殊应用环境中,这款晶体管都具备强大的市场竞争力,是设计工程师和电子爱好者的理想选择。