类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 1.2A;900mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 400mΩ@600mA,4.5V;700mΩ@430mA,4.5V |
功率(Pd) | 500mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 600pC@4.5V;700pC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 49pF@16V;42pF@16V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
DMC2710UVT-7 是一种高性能的互补型场效应管(MOSFET),由知名电子元器件制造商 DIODES(美台)生产,专为电源管理和信号开关等应用场景设计。其采用表面贴装型封装(TSOT-26),具有适合现代电子设备小型化需求的特性。此器件集成一个 N 沟道和一个 P 沟道 MOSFET,适合在高频及高效率电源转换应用中使用。
DMC2710UVT-7 能够广泛应用于多个领域,包括但不限于:
DMC2710UVT-7 是一款性能强大且灵活的互补型 MOSFET,凭借其高电流能力、低导通电阻和宽工作温度范围,成为设计现代电源管理和信号开关电路的理想选件。随着电子设备设计日趋小型化与智能化,其在各类现代应用中的潜力无疑将持续增长。