DMC2710UVT-7 产品实物图片
DMC2710UVT-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMC2710UVT-7

商品编码: BM0107672265
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
TSOT26
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 500mW 20V 1.2A;900mA 1个N沟道+1个P沟道 TSOT-23-6
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.687
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.687
--
200+
¥0.473
--
1500+
¥0.431
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMC2710UVT-7参数

类型1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)1.2A;900mA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)400mΩ@600mA,4.5V;700mΩ@430mA,4.5V
功率(Pd)500mW阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)600pC@4.5V;700pC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)49pF@16V;42pF@16V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

DMC2710UVT-7手册

DMC2710UVT-7概述

产品概述:DMC2710UVT-7

一、概述

DMC2710UVT-7 是一种高性能的互补型场效应管(MOSFET),由知名电子元器件制造商 DIODES(美台)生产,专为电源管理和信号开关等应用场景设计。其采用表面贴装型封装(TSOT-26),具有适合现代电子设备小型化需求的特性。此器件集成一个 N 沟道和一个 P 沟道 MOSFET,适合在高频及高效率电源转换应用中使用。

二、主要特点

  1. 双管结构:DMC2710UVT-7 结合了 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 的优点,可以用于多种电路配置,提供设计灵活性。
  2. 额定漏源电压:这款 MOSFET 的漏源电压(Vdss)可达 20V,适合低压电源管理应用,确保电路在安全的电压范围内可靠运行。
  3. 高负载电流能力
    • 在 25°C 时,N 沟道 MOSFET 可持续提供1.2A 的连续漏极电流(Id),而 P 沟道可达 900mA,这使其在驱动负载方面表现出色。
  4. 低导通电阻:DMC2710UVT-7 在不同的 Id 和 Vgs 条件下展现出极低的导通电阻,最大只有 400 毫欧(在 600mA 和 4.5V 的条件下),这保证了在开关操作时的高效率和低热量损耗。
  5. 快速开关能力:具有低输入电容(Ciss 最大值为 42pF)和极低的栅极电荷(Qg 最大值为 0.1pC),这一特性使得器件在高频开关中表现出色,减少了开关损失,提高了效率。
  6. 宽工作温度范围:工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适用于严苛环境下的应用,确保器件在极端条件下仍能正常工作。
  7. 小型化封装:采用 TSOT-26 封装,适合空间受限的应用,比如便携式设备、智能手机及其他消费电子产品,简化了设计过程并提升了集成度。

三、应用领域

DMC2710UVT-7 能够广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 电源管理:广泛应用于 DC-DC 转换器、电池管理和充电器等场合。
  • 信号开关:在低电压信号切换应用中表现良好,如音频信号处理和数据通道控制。
  • 便携式设备:由于其小型化和高效率特性,非常适合用于智能手机、平板电脑等便携电子设备的电源管理模块。
  • 工业控制:能够满足复杂工业控制系统的 MOSFET 开关需求,提升系统的可靠性和能效。

四、总结

DMC2710UVT-7 是一款性能强大且灵活的互补型 MOSFET,凭借其高电流能力、低导通电阻和宽工作温度范围,成为设计现代电源管理和信号开关电路的理想选件。随着电子设备设计日趋小型化与智能化,其在各类现代应用中的潜力无疑将持续增长。