
注:图像仅供参考,请参阅产品规格
DCX115EK-7-F

- 商品编码: BM0107672291复制
- 品牌: DIODES(美台)复制
- 封装: SOT-26复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.039g复制
- 描述: 数字晶体管 300mW 50V 100mA 1个NPN,1个PNP-预偏置复制
DCX115EK-7-F参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 20mA |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 晶体管类型 | NPN+PNP |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.9V |
| 最大输入电压(VI(off)) | 3V |
| 输出电压(VO(on)) | 180mV |
| 输入电阻 | 100kΩ |
| 电阻比率 | 1 |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 特征频率(fT) | 250MHz |
DCX115EK-7-F手册
DCX115EK-7-F概述
产品概述: DCX115EK-7-F
1. 产品简介
DCX115EK-7-F是一款高性能数字晶体管,采用先进的双型封装设计,内置一个NPN和一个PNP晶体管,适合各种数字和模拟电路应用。其具有50V的集射极击穿电压和最大100mA的集电极电流,广泛应用于开关电源、电路驱动和放大器等场景。该器件特别适合需要较低功耗和小型化设计的应用。
2. 主要特点
- 双晶体管设计: 内含一个NPN和一个PNP晶体管,满足多样化的电路需求。
- 低饱和压降: 最大饱和压降为300mV(@250µA,5mA),确保在开关操作时能有效降低功耗。
- 高增益性能: 在不同的集电极电流(Ic=5mA)下,DC电流增益(hFE)最小值为82,提供可靠的信号放大能力。
- 高频率响应: 频率跃迁可达250MHz,使其能够在高速数字电路中发挥优异性能。
- 超低集电极截止电流: 最大集电极截止电流仅为500nA,降低了静态功耗。
- 表面贴装型设计: 采用SC-74R封装,整体尺寸小,适合自动化贴片,节省PCB空间。
3. 电气特性
- 集电极电流 (Ic): 最大100mA,适用多种负载驱动。
- 集射极击穿电压 (Vce): 可承受高达50V的击穿电压,适合高压应用。
- 基极电阻 (R1): 100kΩ,提供适当的输入电阻和偏置设置。
- 发射极电阻 (R2): 100kΩ,确保稳定的工作状态和良好的线性放大能力。
4. 应用领域
DCX115EK-7-F数字晶体管适用于以下领域和场景:
- 开关电源: 由于其低功耗特性和高频特性,在电源开关应用中表现出色。
- 电机驱动: 能够驱动小型电机和执行机构,应用于机器人和自动化设备。
- 信号放大: 在音频和视频信号处理电路中,能够有效放大微弱信号。
- 传感器接口: 可用于各类传感器信号的调理和放大。
5. 设计建议
在使用DCX115EK-7-F时,以下设计建议将帮助优化性能:
- 适当的偏置设置: 确保基极和发射极的电阻设置得当,以获得所需的工作点与增益。
- 热管理: 尽管其最大功率为300mW,但在高负载条件下,建议采取适当的热管理措施,以保证器件的长期稳定性和可靠性。
- 电路布局: 在PCB设计时,注意减少路径的电感和电阻,以提升开关速度和信号完整性。
6. 包装和存储
DCX115EK-7-F以SC-74R(SOT-457)封装提供,适合高密度的电路板布局。产品在存储时,应避免潮湿环境,建议保存在干燥、低温的条件下,以确保最佳性能和延长器件的使用寿命。
总结
DCX115EK-7-F是一款集NPN/PNP双晶体管于一体的数字晶体管,不仅具备高效率和小型化的优势,还在低功耗应用中展现出卓越性能。其广泛的应用领域和优秀的电气特性,使其在现代电子设计中成为不可或缺的重要元件。无论是在开关电源、信号处理还是电机驱动领域,DCX115EK-7-F都能提供可靠和高效的解决方案。
最新价格
梯度
单价(含税)
1+
¥0.364
3000+
¥0.34
30000+
库存/批次
库存
批次
1909复制
22+复制
购买数量起订量:1,增量:1
单价¥0.364
合计:¥0





