集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 20mA |
功率(Pd) | 300mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@1mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.9V@1mA,0.3V | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 3V@1mA,0.3V |
输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 180mV@5mA,0.25mA | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DCX115EK-7-F是一款高性能数字晶体管,采用先进的双型封装设计,内置一个NPN和一个PNP晶体管,适合各种数字和模拟电路应用。其具有50V的集射极击穿电压和最大100mA的集电极电流,广泛应用于开关电源、电路驱动和放大器等场景。该器件特别适合需要较低功耗和小型化设计的应用。
DCX115EK-7-F数字晶体管适用于以下领域和场景:
在使用DCX115EK-7-F时,以下设计建议将帮助优化性能:
DCX115EK-7-F以SC-74R(SOT-457)封装提供,适合高密度的电路板布局。产品在存储时,应避免潮湿环境,建议保存在干燥、低温的条件下,以确保最佳性能和延长器件的使用寿命。
DCX115EK-7-F是一款集NPN/PNP双晶体管于一体的数字晶体管,不仅具备高效率和小型化的优势,还在低功耗应用中展现出卓越性能。其广泛的应用领域和优秀的电气特性,使其在现代电子设计中成为不可或缺的重要元件。无论是在开关电源、信号处理还是电机驱动领域,DCX115EK-7-F都能提供可靠和高效的解决方案。