类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 1.1A;800mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 400mΩ@600mA,4.5V;700mΩ@430mA,4.5V |
功率(Pd) | 460mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 600pC@4.5V;700pC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 49pF@16V;42pF@16V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
DMC2710UV-7是一款高性能的场效应管(MOSFET),由知名电子元器件制造商DIODES(美台)出品。该产品采用了N沟道与P沟道互补设计,特别适用于低功耗电子设备和高效率电源管理系统,提供了优异的导通性能和高效率。
FET类型: 本产品为N和P沟道互补型MOSFET,可以在同一个封装中实现双MOSFET设计,简化了电路布局和连接。
漏源电压(Vdss): DMC2710UV-7的漏源电压为20V,适合大多数低压应用,如电源调节、负载开关等。
电流规格:
导通电阻: 本产品在不同的漏电流(Id)和栅源电压(Vgs)条件下表现出优异的导通电阻性能,最大导通电阻为400毫欧(@600mA,4.5V),700毫欧(@430mA,4.5V)。这使得DMC2710UV-7在开关应用中具备较低的功率损耗。
栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大阈值电压为1V(@250µA),提供了良好的开启性能,适合于逻辑电平控制电路。
栅极电荷(Qg): 最大栅极电荷为600pC(@4.5V)和700pC(@4.5V),这表示在开关周期中,该器件能够快速响应,有助于提升开关频率。
输入电容(Ciss): 不同的漏源电压(Vds)下,输入电容的最大值为42pF,49pF(@16V),这有利于减小驱动功耗,提高工作效率。
功率最大值: DMC2710UV-7的最大功率为460mW(Ta)。它在高温环境下的可靠性表现使其被广泛应用于温度变化大的电子设备中。
工作温度范围: 该器件的工作温度范围为-55°C至150°C(TJ),适合于汽车电子、工业控制、消费电子等各种严苛环境。
安装类型与封装: DMC2710UV-7采用SOT-563封装,属于表面贴装型(SMD),该封装具有较小的占位面积和优良的散热性能,适合于高密度PCB设计。
DMC2710UV-7的特点使其广泛适用于各种应用场景,包括但不限于:
DMC2710UV-7是一款卓越的场效应管,凭借其兼具高性能与宽环境适应性的特点,使其在现代电子设计中成为重要的电子元件。无论是在电源管理、负载开关还是汽车电子等领域,它均可提供可靠的解决方案,帮助工程师设计高效、安全的电子产品。选择DMC2710UV-7,您将获得稳定的性能,缩短设计周期,提升系统整体效能。