DMN2250UFB-7B

DMN2250UFB-7B 产品概述

一、产品简介

DMN2250UFB-7B是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为通信、消费电子及工业应用而设计。该器件具有优异的电气特性，能够满足各种高频开关和功率控制的需求。其最大漏源电压（Vdss）为20V，连续漏极电流（Id）可达到1.35A，使其适用于多种低功耗、高效率的电路场景。

二、技术规格

1. FET类型：N通道
2. 技术：MOSFET（金属氧化物半导体）
3. 漏源电压 (Vdss)：20V
4. 连续漏极电流 (Id)：1.35A（在25°C下，环境温度Ta）
5. 驱动电压：最小Rds(on)在1.8V和4.5V时的表现优秀，适合多种驱动条件。
6. 导通电阻 (Rds(on))：
   • 最大值：170毫欧（在1A、4.5V下）
7. 开启电压 (Vgs(th))：最大值为1V（@ 250µA），具备较高的可靠性。
8. 栅极电荷 (Qg)：3.1nC（@ 10V），在快速开关应用中能有效减少开关损失。
9. 工作温度范围：-55°C到150°C（TJ），适合各种极端环境。
10. 功率耗散：最大可达500mW（Ta），使该器件在较高负载下依然能稳定工作。

三、应用场景

DMN2250UFB-7B广泛应用于:

• 电源管理：用于开关电源（SMPS）的主开关或者反激式转换器中的次级开关。
• 低功耗电路：如电池供电的便携设备和消费电子产品，提供高效的能量转换和散热管理。
• 驱动电路：可用于驱动各种电机，如直流电机和步进电机，提供稳定的驱动信号和较低的功耗。
• 信号开关：适用于选择开关、音频应用及其他低电压信号的开关控制。

四、封装和安装

DMN2250UFB-7B采用表面贴装型X1-DFN1006-3封装，适用于现代电子设备的小型化要求。该封装体积小、引脚间距小，使其在高密度印刷电路板（PCB）上易于安装和焊接。与传统封装相比，表面贴装型提供了更优的散热性能和电气特性，适合进行高效的信号传输与功率管理。

五、综合性能

DMN2250UFB-7B的优秀电气特性及稳定的工作性能使其成为设计工程师在选择MOSFET时的优质选择。其较低的导通电阻和高频响应能力为系统的能效提升和响应速度提供了保证。此外，广泛的工作温度范围和强大的功耗能力增强了其在恶劣环境下的应用可靠性，为各种电源和控制应用提供了解决方案。

六、总结

总之，DMN2250UFB-7B是一款设计先进、性能卓越的N沟道MOSFET，专为高效开关和功率控制而设计，完美适用在多种现代电子应用中。无论是在响应速度、开关损耗还是散热性能方面，都能满足高要求的电路设计需求。由知名品牌DIODES（美台）出品，保证了产品的可靠性和质量，成为工程师在新产品开发和设计时的优秀选择。