IRLU024NPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRLU024NPBF

商品编码: BM0107672517
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-251AA(IPAK)
包装 : 
管装
重量 : 
0.773g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 45W 55V 17A 1个N沟道 TO-251(IPAK)
库存 :
10(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
1.42
按整 :
管(1管有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.42
--
3000+
¥1.36
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRLU024NPBF参数

漏源电压(Vdss)55V连续漏极电流(Id)17A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)65mΩ@10V,10A功率(Pd)45W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)15nC
输入电容(Ciss@Vds)480pF反向传输电容(Crss@Vds)61pF
工作温度-55℃~+175℃

IRLU024NPBF手册

IRLU024NPBF概述

产品概述:IRLU024NPBF N通道MOSFET

一、基本介绍

IRLU024NPBF是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由知名半导体制造商英飞凌(Infineon)生产。该器件是在以高效能和高度可靠性为目标而设计,适合广泛的应用场景,包括电源管理、马达驱动、开关电源等。以其优异的电气参数和坚固的封装,IRLU024NPBF为现代电子设备提供了强有力的支持。

二、关键规格

  1. 电气特性

    • 漏源电压(Vdss):55V,适合在中高电压应用中使用,能够有效应对电源电压变化。
    • 连续漏极电流(Id):17A(Tc),在热管理良好的情况下可确保稳定工作,高电流应用的理想选择。
    • 导通电阻(Rds(on)):最大值65毫欧(@10A,10V)显示出其优良的导电性,能够减少功耗和发热,提升整体效率。
  2. 门极特性

    • 驱动电压:4V(最小导通),10V(最大),支持多种驱动电路设计。
    • 栅极阈值电压(Vgs(th)):最大2V(@250µA),适合低压驱动电路。
    • 栅极电荷(Qg):最大15nC(@5V),有助于实现快速开关,改善开关效率。
  3. 电容特性

    • 输入电容(Ciss):最大480pF(@25V),较低input capacitance可以减少驱动功耗,使其在高频应用中表现出色。
  4. 物理特性与封装

    • 封装类型:TO-251(IPAK)短引线封装,具有良好的热管理性能,方便PCB布局与焊接。
    • 功率耗散:最大45W(Tc),支持高功率应用,确保器件在逆境中正常运行。
    • 工作温度范围:-55°C ~ 175°C(TJ),适用于极端环境下的应用,工程师在设计中可依据其宽广的工作温度范围来增强产品可靠性。

三、应用领域

IRLU024NPBF的广泛应用领域包括但不限于:

  1. 电源管理:在开关电源中作为主开关或同步整流器使用。
  2. 马达驱动:适合无刷直流电动机(BLDC)和步进电机驱动,实现高效且精确的控制。
  3. 点亮灯具:在LED驱动和调光电路中,具备高效性和响应速度。
  4. 电池管理系统:适用于电池充电和放电管理,有助于提高效率和延长电池寿命。

四、竞品分析与市场定位

作为市场上各类MOSFET中的佼佼者,IRLU024NPBF的主要优势在于其优异的性能参数和高宽的工作范围。与竞争产品相比,它在导通电阻、门极电压、以及功率处理能力等方面提供了更为卓越的表现。产品的可靠性及适用性,使得其在工程师的设计中频频中选,其广泛的应用场景预示着IRLU024NPBF将继续在不断演进的市场中占据一席之地。

五、总结

IRLU024NPBF是一款高效、可靠的N通道MOSFET,凭借其出色的电气特性和适应严苛环境条件的能力,使其成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。无论在电源管理、马达控制还是LED驱动应用中,它都能有效降低整体系统的功耗和温升,助力设计更加高效、节能的电子产品,是追求卓越性能工程师的理想选择。