晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 350mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 220@2.0mA,5V | 特征频率(fT) | 200MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 4uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 650mV@100mA,5.0mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
BC857BLP4-7 是一款由 Diodes Incorporated 制造的高性能PNP型普通双极型晶体管(BJT),设计用于多种通用放大和开关应用。这款晶体管在广泛的温度范围内工作,适合于多种电子设备及电路设计,尤其是在需要良好电流增益和较低饱和压降时。
BC857BLP4-7 的电气特性使其在电路设计中非常具有吸引力,以下是其一些关键参数:
BC857BLP4-7在DC电流增益(hFE)方面表现良好,最小值为220(2mA、5V条件下)。此特性使得晶体管可以在低驱动电流下驱动更高的功率负载,适合于放大器和高效开关电路。
此外,频率跃迁达到100MHz,使其能够在高频率应用中表现优异。这样的特性使其适用于RF电路和高频信号处理场合。
BC857BLP4-7采用表面贴装型设计,封装为 X2-DFN1006-3。这种设计不仅可以减小PCB占用空间,还简化了自动化的焊接和装配过程,适合现代电子设备的高密度布局。
BC857BLP4-7 可用于多种不同的应用场景,包括但不限于:
BC857BLP4-7 是一款适用于多种应用场景的高性能PNP型晶体管。凭借其优良的电气性能,如低饱和电压、高电流增益和宽工作温度范围,该器件非常适合在现代电子设备中使用。无论是在开关电路、放大器设计,还是在复杂的电源管理系统中,BC857BLP4-7 都能提供稳定可靠的性能,是电子设计工程师的理想选择。其表面贴装封装也进一步增强了其在紧凑型电子产品中的应用潜力。