晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | 功率(Pd) | 350mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@100mA,1.0V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA,10mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
MMBTA05Q-13-F 是一款由 DIODES(美台)公司生产的 NPN 型三极管(BJT),其特性优良且适用范围广泛,主要用于现代电子电路中的信号放大和开关应用。该器件以其卓越的性能和可靠性,广泛应用于多个行业,包括通讯、消费电子、自动化和工业控制等领域。
MMBTA05Q-13-F 采用 SOT-23 封装,尺寸小巧,适合表面贴装(SMD)应用。此封装形式使得器件在现代高密度电路板设计中更具灵活性,便于布线和组装。
MMBTA05Q-13-F 通常用于以下几种应用:
在电子设计中,使用 MMBTA05Q-13-F 的时候,需要确保工作条件满足其最大额定参数,以避免器件过热或失效。此外,应根据具体的电路需求合理选择偏置电阻,以实现最佳的增益和线性响应。
MMBTA05Q-13-F 是一款高性能的 NPN 三极管,凭借其出色的电气特性和结构设计,成为电子工程师在设计与开发各种电路时的重要选择。其在广泛的工作温度范围内呈现出良好的可靠性和稳定性,使其在严苛环境中的表现同样出色。选择 MMBTA05Q-13-F,不仅可以满足项目对性能的高要求,也能提升整体电路设计的效率和可靠性。