DSS2540M-7B 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DSS2540M-7B

商品编码: BM0107672673
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
X1-DFN1006-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 400mW 40V 500mA NPN DFN-3(1x0.6)
库存 :
18392(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.341
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.341
--
500+
¥0.228
--
5000+
¥0.198
--
100000+
产品参数
产品手册
产品概述

DSS2540M-7B参数

晶体管类型NPN集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)40V功率(Pd)1W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)150@100mA,2V特征频率(fT)250MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)100mV@100mA,5mA
工作温度-55℃~+150℃

DSS2540M-7B手册

DSS2540M-7B概述

DSS2540M-7B 产品概述

一、产品简介

DSS2540M-7B 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 NPN 晶体管,专为需要高频率和高效率的小型应用设计。该晶体管采用了先进的表面贴装封装(3-UFDFN),其外形尺寸为 1mm x 0.6mm,使其特别适合在空间受限的电路中使用。DSS2540M-7B 的额定参数结合出色的电性特性,使其成为诸如开关电源、信号放大和其他线性应用的理想选择。

二、基本特性

  1. 电流和电压参数

    • 最大集电极电流(Ic):500mA。此参数允许晶体管在中等负载环境中稳定工作,满足多样化应用需求。
    • 集射极击穿电压(Vce(max)):40V。有效提高了其在高电压环境下工作的可靠性,降低了击穿风险。
    • 功率耗散(P总):250mW。此功率限制使得此器件能够在短时间内处理较大的功率,适合用于脉冲式应用。
  2. 饱和压降

    • 该晶体管在不同基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)条件下具有良好的饱和压降特性。比如在 50mA 和 500mA 集电极电流条件下,Vce 饱和压降最大值分别为 250mV 和 500mV,展现了优异的开关效率。
  3. 直流电流增益(hFE)

    • 在 100mA 的集电极电流以及 2V 的电压下,DC 电流增益的最小值为 150,表明该设备在实际应用中能够提供很好的增益特性,对于信号放大等应用非常重要。
  4. 频率特性

    • 在高达 300MHz 的跃迁频率下,DSS2540M-7B 能够保持较好的性能特点,适应高频信号处理的需求,符合现代电子设备对小尺寸、轻量化及高效能的严格要求。

三、环境和封装特性

  • 工作温度范围:-55°C至+150°C,适用于各种极端环境下的应用,如汽车电子、工业控制等领域,确保在高温和低温条件下的可靠性。

  • 安装类型:表面贴装型,适合现代贴片技术,减少了组装空间,提高了整体电路的集成度。

  • 封装类型:3-UFDFN(3-X1DFN1006),紧凑的封装设计显著减小了PCB板的占用空间,同时提供更好的散热性能和电气性能。

四、应用领域

DSS2540M-7B 的设计适用于广泛的应用领域,包括但不限于:

  • 开关电源:作为开关元件,提升效率和输出电流的能力。
  • 信号放大器:利用其良好的增益特性在音频放大和射频放大电路中发挥作用。
  • 驱动电路:在低功率要求的应用中,提供驱动信号,如LED驱动、电机控制等。
  • 开关电路:在数字电路中作为开关执行,进行电路的高频切换。

五、总结

DSS2540M-7B 是一款集高性能、低功耗及小尺寸于一体的 NPN 三极管,广泛适用于现代高频和低功率应用。凭借出色的电气参数及可靠的工作性能,它在电子设计中提供了理想的解决方案,满足了对小型化及高集成度的需求。无论是在消费电子、汽车电子还是工业设备中,DSS2540M-7B 都能够为设计师提供极大助力,提升产品的整体性能和可靠性。