晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 功率(Pd) | 1W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 150@100mA,2V | 特征频率(fT) | 250MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 100mV@100mA,5mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DSS2540M-7B 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 NPN 晶体管,专为需要高频率和高效率的小型应用设计。该晶体管采用了先进的表面贴装封装(3-UFDFN),其外形尺寸为 1mm x 0.6mm,使其特别适合在空间受限的电路中使用。DSS2540M-7B 的额定参数结合出色的电性特性,使其成为诸如开关电源、信号放大和其他线性应用的理想选择。
电流和电压参数:
饱和压降:
直流电流增益(hFE):
频率特性:
工作温度范围:-55°C至+150°C,适用于各种极端环境下的应用,如汽车电子、工业控制等领域,确保在高温和低温条件下的可靠性。
安装类型:表面贴装型,适合现代贴片技术,减少了组装空间,提高了整体电路的集成度。
封装类型:3-UFDFN(3-X1DFN1006),紧凑的封装设计显著减小了PCB板的占用空间,同时提供更好的散热性能和电气性能。
DSS2540M-7B 的设计适用于广泛的应用领域,包括但不限于:
DSS2540M-7B 是一款集高性能、低功耗及小尺寸于一体的 NPN 三极管,广泛适用于现代高频和低功率应用。凭借出色的电气参数及可靠的工作性能,它在电子设计中提供了理想的解决方案,满足了对小型化及高集成度的需求。无论是在消费电子、汽车电子还是工业设备中,DSS2540M-7B 都能够为设计师提供极大助力,提升产品的整体性能和可靠性。