晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 80V | 功率(Pd) | 350mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@100mA,1.0V | 特征频率(fT) | 50MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA,10mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
MMBTA56Q-13-F 产品概述
概述
MMBTA56Q-13-F 是一款高性能的PNP型双极晶体管,设计用于各种电子电路的开关和线性放大应用。其良好的电气特性和广泛的工作温度范围使其成为消费电子、工业设备及通信设备等领域的理想选择。该三极管采用SOT-23封装,适合表面贴装技术(SMD),便于集成在现代小型化电路设计中。
电气特性
MMBTA56Q-13-F 的主要电气特性包括:
动态特性
该三极管具有频率跃迁特性,能够达到50MHz,适合高速信号处理应用。这一特性使得MMMTA56Q-13-F在高频开关电源和RF应用中表现出色。
工作环境
MMBTA56Q-13-F 具备广泛的工作温度范围,能够在-55°C到150°C的极端环境中稳定工作。这一设计特性确保了在各种恶劣气候下的可靠性,特别适合航空航天、汽车电子等行业。
封装与安装
该晶体管采用SOT-23封装,尺寸小巧,便于在空间有限的小型电路板上进行布局。SOT-23封装也为其提供了良好的热管理性能,适合大规模生产。
应用领域
由于其显著的性能特征,MMBTA56Q-13-F广泛应用于多种电子产品和系统中,如:
总结
MMBTA56Q-13-F 作为一款性能卓越的PNP型晶体管,以其高电压、高电流、小饱和压降、宽温度范围及快速开关特性赢得了市场的青睐。其SOT-23封装设计使其易于集成于各种现代电子设备中。无论是在消费电子、工业设备还是通信系统中,这款产品都展现出强大的应用潜力和可靠性,成为设计师和工程师的优选组件。选择MMBTA56Q-13-F,您将拥有一款可靠且高效的电子元器件,以满足您对高性能和高效率电路设计的需求。