晶体管类型 | 1个NPN-预偏置 | 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
集电极电流(Ic) | 100mA | 功率(Pd) | 310mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 56@5mA,5V | 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 4V@2mA,0.3V |
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 800mV@100uA,5V | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
ADTC144WCAQ-7 是一款高性能的表面贴装型 NPN 晶体管,具有预偏置特性,专为低功耗电子应用而设计。该器件由知名品牌 DIODES(美台)生产,采用 SOT-23 封装,具有小巧、便于在紧凑电路设计中使用的优点。ADTC144WCAQ-7 的广泛应用包括开关电路、放大器设计和数字信号处理等领域。
晶体管类型: NPN - 预偏压
该器件的 NPN 结构允许低电平的控制信号驱动更高电平的负载,使其在开关和放大应用中非常实用。
最大集电极电流 (Ic): 100mA
ADTC144WCAQ-7 可以承受高达 100 毫安的集电极电流,适用于处理中等功率的负载。
集射极击穿电压 (Vce): 50V
器件的最大集射极击穿电压为 50V,使其能够在较高电压下安全运行,适合用于需要高电压耐受的电路。
基极电阻 (R1): 47 kΩ
基极电阻的选择对于确保合理的偏置电流和稳定的工作点至关重要,这款组件的设计确保了最佳的增益与稳定性。
发射极电阻 (R2): 22 kΩ
适当的发射极电阻值为作用于发射极的正反馈提供了良好的反馈路径,确保了电流稳定性。
直流电流增益 (hFE): min 56 @ 5mA, 5V
在5mA的基极电流条件下,该器件展现出至少56的直流电流增益,可为更高的电流增益应用提供支持。
饱和压降 (Vce) 最大值: 300mV @ 500µA, 10mA
在较低的控制信号下,装置能够保持较低的饱和压降,为功率损耗的减少提供保证。
集电极截止电流: 最大 500nA
静态状态下的低截止电流使其在关断时几乎不会消耗电力,有助于提高整体电路的能效。
频率: 跃迁频率 250MHz
对于高频应用,ADTC144WCAQ-7 的跃迁频率足够高,使其可以胜任信号放大和开关测试等要求高频率的场景。
最大功率: 310mW
在合理的工作温度和条件下,该组件的最大功率为310毫瓦,确保在各种应用的灵活性。
ADTC144WCAQ-7 是一种非常适合在现代电子产品中使用的多用途型号。其典型应用包括但不限于:
ADTC144WCAQ-7 是一款功能强大且灵活的 NPN 晶体管,凭借其核心参数和小型封装设计,适用于多种电子应用。其适应性和高效能使其成为电子工程师设计电路时的一种理想选择,是当今现代电子设备不可或缺的关键组件之一。随着电子技术的不断发展和创新,ADTC144WCAQ-7 在新型电路设计中的需求将持续增长。