反向截止电压(Vrwm) | 8V | 最大钳位电压 | 16.5V |
峰值脉冲功率(Ppp) | 66W | 击穿电压 | 8.5V |
通道数 | 单路 | 工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |
类型 | ESD |
D8V0L1B2LP3-7 是一款由美台 (DIODES) 生产的瞬态抑制二极管(TVS二极管),旨在为电子设备提供有效的过压保护。作为一种齐纳二极管,该产品将低击穿电压与高速瞬态响应特性相结合,在各种电气环境中展现优异的抗干扰性能和潮流衰减能力。这款二极管特别适用于电源线路保护、数据线保护或其他对电压扰动敏感的电路设计中。
电压特性:
电流和功率特性:
频率响应:
温度和封装:
D8V0L1B2LP3-7 瞬态抑制二极管具有广泛的应用潜力,适用于多种电子电路领域:
D8V0L1B2LP3-7 瞬态抑制二极管凭借其优异的电压和电流特性,同时具备高温稳定性和出色的频率响应,使其成为电源和信号线路保护的理想选择。其小巧的封装设计适合现代电子产品的需求,为设计工程师提供了更大的灵活性和可靠性保障。随着电子设备对安全性和稳定性要求的不断升级,D8V0L1B2LP3-7 的应用前景十分广泛,尤其是在高科技设备日常使用和工业应用中,其重要性愈发显著。