晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 600mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 功率(Pd) | 310mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@10mA,1.0V | 特征频率(fT) | 250MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@150mA,15mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
简介 MMBT4401Q-13-F 是一种 NPN 型双极结晶体管 (BJT),广泛应用于低功耗和小信号放大、电流开关等应用。它采用小型 SOT-23 封装,非常适合紧凑型电子设计。该器件由美台(Diodes Incorporated)生产,具有较大的功率处理能力和优异的电流放大特性,是设计师在需要高效、可靠的电子开关和信号放大解决方案时的理想选择。
技术规格
应用领域 MMBT4401Q-13-F 主要应用于以下几个领域:
信号放大: 由于其较高的电流增益,MMBT4401 适用于音频信号与脉冲信号的放大,尤其是在低功耗设备中。
开关应用: 该器件能够有效控制较高的负载电流,使其适合用于电子开关和继电器驱动等场景。
线性放大器: 在音频和射频设备的线性放大器中,MMBT4401 由其高增益特性导致出色的信号保真度。
电流管理: 可用于电流调节、温控和LED驱动等需要调节输出电流的场景。
设计考虑 在设计以 MMBT4401Q-13-F 为核心的电路时,以下几点至关重要:
安装位置: 由于其 SOT-23 封装的紧凑特性,MMBT4401 适合用于多层电路板的表面安装,能节省空间。
散热: 尽管该器件具有310 mW的额定功率,但在实际应用中,应考虑合理设计散热方案,以保证其工作在安全的状态下,防止过热。
偏置条件: 确保三极管的偏置电压和电流处于适当范围,以实现最佳性能。在电流放大及开关应用中,偏置条件直接影响器件的有效性。
特性与优势
总结 MMBT4401Q-13-F 是一款功能强大的 NPN 晶体管,适合在各种电子电路中广泛应用。其410 mW的功率处理能力、40V 的耐压及600mA的电流处理能力,使其进行广泛的信号放大和开关控制应用。此外,其小巧的 SOT-23 封装为现代电子设备提供了灵活的设计选项。无论是在消费电子、工业控制还是通信设备中,该元器件都展现出了卓越的性能和设计的灵活性。如果您正在寻找一种能够兼顾性能和空间的 NPN 晶体管解决方案,MMBT4401Q-13-F 是值得考虑的优秀选择。